| 型号起始： | JS28F512* (17) JS28F512M* (4) JS28F512P* (13) |
| 所属品牌： | 不限 MICRON(13) NUMONYX(4) |
| 功能分类： | 不限 光电二极管(11) 内存集成电路(11) 闪存(12) 存储(7) PC(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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JS28F512M29EWH0
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
存储容量(Mb):512Mb（64M x 8，32M x 16）;内存数据长度(bit):64M ;字编码数(k):64M ;元器件封装:56-TSOP; | 存储 | ||
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JS28F512M29EWHA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | ||
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JS28F512M29EWHB
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | |||
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JS28F512M29EWL0
中文翻译 品牌: MICRON |
存储容量(Mb):512Mb（64M x 8，32M x 16）;内存数据长度(bit):64M ;字编码数(k):64M ;元器件封装:56-TSOP; | 存储 | ||
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JS28F512M29EWLA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F512M29EWLB
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | |||
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JS28F512P30BF
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F512P30EF
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F512P30TF
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F512P33EF0
中文翻译 品牌: MICRON |
存储容量(Mb):512Mb（32M x 16）;内存数据长度(bit):32M ;字编码数(k):32M ;最大时钟频率(MHz):40 MHz;元器件封装:56-TSOP; | 时钟 存储 |
Total:101
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