所属品牌:不限 LG(322)
功能分类:不限 内存集成电路(104) 光电二极管(99) 动态存储器(102) CD(35) 逻辑集成电路(8) 输出元件(8) 输入元件(8) 存储(3) 静态存储器(2) 总线收发器(4) 驱动器(2) 放大器(1) 遥控(1) 显示器(1) 电机(1) 驱动(1) 脉冲(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
GD54HC266
中文翻译 品牌: LG
QUAD 2-INPUT EXCLUSIVE NOR GATES
四2输入异或非门
逻辑集成电路 光电二极管 输入元件
GD54HCT266
中文翻译 品牌: LG
QUAD 2-INPUT EXCLUSIVE NOR GATES
四2输入异或非门
逻辑集成电路 光电二极管 输入元件
GD54HCT298
中文翻译 品牌: LG
QUAD 2-INPUT MULTIPLEXERS WITH OUTPUT LATCH
具有输出锁存QUAD 2输入多路
逻辑集成电路 光电二极管 输出元件 输入元件
GD54LS245
中文翻译 品牌: LG
OCTAL BUS TRANSCEIVER; NON-INVERTED 3-STATE OUTPUTS
八路总线收发器;非反相三态输出
总线收发器 逻辑集成电路 光电二极管 输出元件
GD74HC298
中文翻译 品牌: LG
QUAD 2-INPUT MULTIPLEXERS WITH OUTPUT LATCH
具有输出锁存QUAD 2输入多路
逻辑集成电路 光电二极管 输出元件 输入元件
GD74HCT298
中文翻译 品牌: LG
QUAD 2-INPUT MULTIPLEXERS WITH OUTPUT LATCH
具有输出锁存QUAD 2输入多路
逻辑集成电路 光电二极管 输出元件 输入元件
GD74LS245
中文翻译 品牌: LG
OCTAL BUS TRANSCEIVER; NON-INVERTED 3-STATE OUTPUTS
八路总线收发器;非反相三态输出
总线收发器 逻辑集成电路 光电二极管 输出元件
GM71C4256A-60
中文翻译 品牌: LG
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM
262,144字×4位CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256A-80
中文翻译 品牌: LG
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM
262,144字×4位CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256AL-60
中文翻译 品牌: LG
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM
262,144字×4位CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256AL-80
中文翻译 品牌: LG
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM
262,144字×4位CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256ALSJ-10
中文翻译 品牌: LG
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM
262,144字×4位CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256ALSJ-60
中文翻译 品牌: LG
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM
262,144字×4位CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256ALSJ-70
中文翻译 品牌: LG
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM
262,144字×4位CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256ALSJ-80
中文翻译 品牌: LG
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM
262,144字×4位CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256ASJ-10
中文翻译 品牌: LG
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM
262,144字×4位CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256ASJ-60
中文翻译 品牌: LG
262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM
262,144字×4位CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256ASJ-80
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262,144 WORD x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM
262,144字×4位CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256B-70
中文翻译 品牌: LG
New Generation Dynamic RAM
新一代动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256BJ-60
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New Generation Dynamic RAM
新一代动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256BJ-70
中文翻译 品牌: LG
New Generation Dynamic RAM
新一代动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256BL-80
中文翻译 品牌: LG
New Generation Dynamic RAM
新一代动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256BLJ-60
中文翻译 品牌: LG
New Generation Dynamic RAM
新一代动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256BLJ-70
中文翻译 品牌: LG
New Generation Dynamic RAM
新一代动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4256BLJ-80
中文翻译 品牌: LG
New Generation Dynamic RAM
新一代动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4400CJ-70
中文翻译 品牌: LG
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM
1,048,576字× 4BIT CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4400CLJ-60
中文翻译 品牌: LG
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM
1,048,576字× 4BIT CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4400CLJ-80
中文翻译 品牌: LG
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM
1,048,576字× 4BIT CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4400CLR-60
中文翻译 品牌: LG
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM
1,048,576字× 4BIT CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
GM71C4400CLR-70
中文翻译 品牌: LG
1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM
1,048,576字× 4BIT CMOS动态RAM
内存集成电路 光电二极管 动态存储器
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LG是什么品牌:LG(LG集团)是一家集化学能源、电子电器、通讯与服务等产业于一体的企业集团,由莲庵具仁会于1947年创立,总部位于韩国首尔。1958年成立了分公司金星社(LG电子)。2021年1月12日,2020年全球专利企业50强公布,LG电子位列第7。