型号等于：	002.WR (1) 00200000 (1) 00200200 (1) 00200400 (1) 00200500 (1) 00200600 (1) 00200800 (1) 00200900 (1) 00201000 (1) 00201200 (1) 00201300 (1) 00201400 (1) 00201500 (1) 00225800 (1) 00226200 (1) 00226600 (1) 00227000 (1) 00227100 (1) 00228500 (1) 00228560 (1) 00228600 (1) 00228700 (1) 00228800 (1) 00229000 (1) 00229600 (1) 00250000 (1) 00250100 (1) 00250765 (1) 002MXRP (1) 003.WR (1) 00300210 (1)
型号起始：	002.WR* (1) 00200000* (1) 00200200* (1) 00200400* (1) 00200500* (1) 00200600* (1) 00200800* (1) 00200900* (1) 00201000* (1) 00201200* (1) 00201300* (1) 00201400* (1) 00201500* (1) 00225800* (1) 00226200* (1) 00226600* (1) 00227000* (1) 00227100* (1) 00228500* (1) 00228560* (1) 00228600* (1) 00228700* (1) 00228800* (1) 00229000* (1) 00229600* (1) 00250000* (1) 00250100* (1) 00250765* (1) 002MXRP* (1) 003.WR* (1) 00300210* (1)
所属品牌：	不限 LITTELFUSE(121058)
功能分类：	不限电路保护(13661) 电阻器(9033) 电熔丝(5167) 二极管(9454) 局域网(8875) 瞬态抑制器(3424) 栅(3204) 栅极(3737) 双向触发二极管(2020) 电视(2093) 压敏电阻(1606) 电信(1809) 电信集成电路(1309) 开关(3649) 光电二极管(4758) 电子(2227) 可控硅(1723) 三端双向交流开关(2752) 非线性电阻器(1517) PC(1269) 温度传感(622) LTE(1122) 双极性晶体管(685) 计算机(253) 传感器(498) 换能器(396) 高压(815) 触发装置(1851) 硅浪涌保护器(767) 装置(626) 脉冲(538) 晶体管(455) 过载保护(638) 半导体(645) 电池(576) 驱动(646) 驱动器(482) 测试(587) 快速恢复二极管(187) 电容器(265) 可控硅整流器(311) 电机(1196) 控制器(316) 继电器(821) 过电流保护(235) 电信电路(410) 电信保护电路(410) 固态继电器(170) 军事(132) 空调(164) 电脑(202)

LITTELFUSE - 型号起始 - 功率控制; 总记录数：110

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		FII24N17AH1 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-5	栅功率控制晶体管
		FII40-06D 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-5	栅功率控制晶体管
		IXA12IF1200HB 中文翻译品牌: LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电	局域网开关 PC 栅双极性晶体管功率控制
		IXA17IF1200HJ 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	局域网栅功率控制晶体管
		IXA20PG1200DHGLB 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS-9	栅功率控制光电二极管晶体管
		IXBF12N300 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, I4PAK-3	栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBF20N300 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, I4PAK-3	栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBF40N160 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	栅开关功率控制晶体管
		IXBF55N300 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	栅功率控制晶体管
		IXBH10N170 中文翻译品牌: LITTELFUSE	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。	局域网栅双极性晶体管高压功率控制二极管
		IXBH12N300 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3	局域网栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBH16N170 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	局域网栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBH20N300 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3	局域网栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBH24N170 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	局域网栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBH28N170A 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3	局域网栅功率控制晶体管
		IXBH2N250 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	局域网栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBH5N160G 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	局域网栅功率控制晶体管
		IXBK64N250 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	局域网栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBL64N250 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 116A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I5PAK-4	栅功率控制晶体管
		IXBN75N170A 中文翻译品牌: LITTELFUSE	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。	局域网双极性晶体管高压功率控制二极管
		IXBT10N170 中文翻译品牌: LITTELFUSE	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。	栅双极性晶体管高压功率控制二极管
		IXBT12N300 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, 3 PIN	栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBT20N300 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, 3 PIN	栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBT28N170A 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN	栅功率控制晶体管
		IXBT2N250 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBT42N170 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	栅瞄准线功率控制晶体管
		IXBX25N250 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	栅瞄准线功率控制晶体管
		IXEH40N120B2D4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 65A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3	局域网栅功率控制晶体管
		IXGA30N60C3D4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具	开关栅双极性晶体管功率控制
		IXGA9289 中文翻译品牌: LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA, 3 PIN	栅功率控制晶体管

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LITTELFUSE是什么品牌：Littelfuse是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。凭借覆盖超过20个国家的业务和约18,000名全球员工，我们与客户合作，设计和交付创新、可靠的解决方案。服务于超过100,000家最终客户，我们的产品每天应用于世界各地的各种工业、运输和电子终端市场。 Littelfuse成立于1927年，总部位于美国伊利诺伊斯州芝加哥。