型号等于：	002.WR (1) 00200000 (1) 00200200 (1) 00200400 (1) 00200500 (1) 00200600 (1) 00200800 (1) 00200900 (1) 00201000 (1) 00201200 (1) 00201300 (1) 00201400 (1) 00201500 (1) 00225800 (1) 00226200 (1) 00226600 (1) 00227000 (1) 00227100 (1) 00228500 (1) 00228560 (1) 00228600 (1) 00228700 (1) 00228800 (1) 00229000 (1) 00229600 (1) 00250000 (1) 00250100 (1) 00250765 (1) 002MXRP (1) 003.WR (1) 00300210 (1)
型号起始：	002.WR* (1) 00200000* (1) 00200200* (1) 00200400* (1) 00200500* (1) 00200600* (1) 00200800* (1) 00200900* (1) 00201000* (1) 00201200* (1) 00201300* (1) 00201400* (1) 00201500* (1) 00225800* (1) 00226200* (1) 00226600* (1) 00227000* (1) 00227100* (1) 00228500* (1) 00228560* (1) 00228600* (1) 00228700* (1) 00228800* (1) 00229000* (1) 00229600* (1) 00250000* (1) 00250100* (1) 00250765* (1) 002MXRP* (1) 003.WR* (1) 00300210* (1)
所属品牌：	不限 LITTELFUSE(121058)
功能分类：	不限电路保护(13661) 电阻器(9033) 电熔丝(5167) 二极管(9454) 局域网(8875) 瞬态抑制器(3424) 栅(3204) 栅极(3737) 双向触发二极管(2020) 电视(2093) 压敏电阻(1606) 电信(1809) 电信集成电路(1309) 开关(3649) 光电二极管(4758) 电子(2227) 可控硅(1723) 三端双向交流开关(2752) 非线性电阻器(1517) PC(1269) 温度传感(622) LTE(1122) 双极性晶体管(685) 计算机(253) 传感器(498) 换能器(396) 高压(815) 触发装置(1851) 硅浪涌保护器(767) 装置(626) 脉冲(538) 晶体管(455) 过载保护(638) 半导体(645) 电池(576) 驱动(646) 驱动器(482) 测试(587) 快速恢复二极管(187) 电容器(265) 可控硅整流器(311) 电机(1196) 控制器(316) 继电器(821) 过电流保护(235) 电信电路(410) 电信保护电路(410) 固态继电器(170) 军事(132) 空调(164) 电脑(202)

LITTELFUSE - 型号起始 - 栅极驱动; 总记录数：32

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IX4340NE 中文翻译品牌: LITTELFUSE	IX4340NE是符合AEC-Q100标准的汽车级双路、大电流、低侧栅极驱动器。两个输出都能提供和吸收5A的峰值电流，并具有20V的最大额定电压。两个输出可以并联，用于更高电流的应用。快速传	栅极驱动驱动器
		IX4351NE EDA模型中文翻译品牌: LITTELFUSE	IX4351NE专为驱动碳化硅MOSFET和大功率IGBT而设计。独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置，以提	开关栅极驱动双极性晶体管调节器
		IX4351NEAU 中文翻译品牌: LITTELFUSE	IX4351NE专为驱动碳化硅MOSFET和大功率IGBT而设计。独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置，以提	开关栅极驱动双极性晶体管调节器
		IXD_604_AU 中文翻译品牌: LITTELFUSE	IXDD604SI & SIA / IXDF604SI & SIA / IXDI604SI & SIA / IXDN604SI & SIA双高速栅极驱动器特别适合驱动我们最新的MOSFET和IGB	栅极驱动驱动器
		IXD_609_AU 中文翻译品牌: LITTELFUSE	IXDD609SI / IXDI609SI / IXDN609SI高速栅极驱动器特别适合驱动我们最新的MOSFET和IGBT。 IXD_609SI的高电流输出可以拉/灌9A峰值电流，同时产生小于2	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		IXD_614_AU 中文翻译品牌: LITTELFUSE	IXDD614SI / IXDI614SI / IXDN614SI高速栅极驱动器特别适合驱动我们最新的MOSFET和IGBT。 IXD_614SI的高电流输出可以拉/灌14A峰值电流，同时产生小于	栅极驱动双极性晶体管驱动器
		IXYA24N100A4HV 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYA24N100C4HV 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYA30N120A4HV 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYH30N120A4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYH30N120B4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代（GenX4?）Trench IGBT工艺流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYH30N120C4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYH40N120B4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代（GenX4?）Trench IGBT工艺流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYH40N120C4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYH55N120A4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYN110N120A4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYN140N120A4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYP24N100A4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYP24N100C4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYP30N120A4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYT40N120A4HV 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYT85N120A4HV 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYX110N120A4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		IXYX140N120A4 中文翻译品牌: LITTELFUSE	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。	栅极驱动双极性晶体管
		LF2103NTR 中文翻译品牌: LITTELFUSE	半桥栅极驱动器集成电路功能与特色: 应用:	栅极驱动驱动器
		LF2104NTR 中文翻译品牌: LITTELFUSE	半桥栅极驱动器集成电路功能与特色: 应用:	栅极驱动驱动器
		LF2113BTR 中文翻译品牌: LITTELFUSE	高压侧和低压侧栅极驱动器集成电路功能与特色: 应用:	栅极驱动高压驱动器
		LF21814NTR 中文翻译品牌: LITTELFUSE	高压侧和低压侧栅极驱动器集成电路功能与特色: 应用:	栅极驱动高压驱动器
		LF2181NTR 中文翻译品牌: LITTELFUSE	高压侧和低压侧栅极驱动器集成电路功能与特色: 应用:	栅极驱动高压驱动器
		LF21844NTR 中文翻译品牌: LITTELFUSE	半桥栅极驱动器集成电路功能与特色: 应用:	栅极驱动驱动器

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LITTELFUSE是什么品牌：Littelfuse是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。凭借覆盖超过20个国家的业务和约18,000名全球员工，我们与客户合作，设计和交付创新、可靠的解决方案。服务于超过100,000家最终客户，我们的产品每天应用于世界各地的各种工业、运输和电子终端市场。 Littelfuse成立于1927年，总部位于美国伊利诺伊斯州芝加哥。