| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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ARF1510
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
RF POWER MOSFET FULL-BRIDGE RF功率MOSFET全桥 |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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ARF1511
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
RF POWER MOSFET FULL-BRIDGE RF功率MOSFET全桥 |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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TC1501
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
1W High Linearity and High Efficiency GaAs Power FETs 1W高线性度和高效率砷化镓功率场效应管 |
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TC1501P1519
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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TC1501P1620
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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TC1501P1721
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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TC2591
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
1 W Flange Ceramic Packaged PHEMT GaAs Power FETs 1 W法兰瓷封装的GaAs PHEMT功率场效应 |
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TC2591P1519
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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TC2591P1721
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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TC2696P1519
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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TC2696P1620
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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TC3943
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
0.5W Single-Bias and Prematched GaAs Power PHEMTs using SMT package 采用SMT封装0.5W单偏置和Prematched砷化镓功率PHEMTs |
晶体 射频场效应晶体管 | |||
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TC3947
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
0.5W Packaged Single-Bias PHEMT GaAs Power FETs 0.5W封装的单偏置的GaAs PHEMT功率场效应 |
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TC3953
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
1 W Single-Bias GaAs Power PHEMTs prematched for 5~8 GHz prematched 5 〜 8 GHz的1 W单偏置砷化镓功率PHEMTs |
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TC3957
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
1W Packaged Single-Bias PHEMT GaAs Power FETs 1W包装单偏置的GaAs PHEMT功率场效应 |
Total:151
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