| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N7580T1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERA | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2N7607T3
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAM | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2N7625T3
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.074ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAM | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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2SK1151S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance High speed switching No secondary breakdown 低导通电阻高速开关无二次击穿 |
晶体 开关 晶体管 脉冲 ISM频段 | |||
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2SK1152S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown 低导通电阻的高速开关低驱动电流，无二次击穿 |
晶体 开关 晶体管 脉冲 ISM频段 驱动 | |||
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2SK1254S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance High speed switching Suitable for switching regulator and DC-DC converter 低导通电阻高速开关适合于开关稳压器和DC-DC转换器 |
晶体 转换器 稳压器 开关 晶体管 脉冲 ISM频段 DC-DC转换器 | |||
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2SK1273
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Directly driver by Ics having a 5V power source. Has low on-satate resistance 直接集成电路驱动器具有一个5V电源。具有低导通电阻satate |
晶体 驱动器 晶体管 开关 脉冲 | |||
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2SK1585
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Directly driven by Ics having a 3V power supply. Has low on-state resistance RDS(on)=1.2 MAX 直接通过具有3V电源管理IC驱动。具有低导通电阻RDS （ ON） = 1.2 MAX |
晶体 晶体管 开关 脉冲 驱动 | |||
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2SK1587
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Directly driven by Ics having a 3V power supply. Has low on-state resistance RDS(on)=0.8 MAX 直接通过具有3V电源管理IC驱动。具有低导通电阻RDS （ ON） = 0.8 MAX |
晶体 晶体管 开关 脉冲 驱动 | |||
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2SK1959
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Gate can be driven by 1.5V Low ON resistance RDS(on)=3.2 MAX 门可以用1.5V的低驱动导通电阻RDS （ ON） = 3.2 MAX |
晶体 晶体管 开关 脉冲 栅 驱动 | |||
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2SK1960
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Gate can be driven by 1.5V Low ON resistance RDS(on)=0.8 MAX 门可以用1.5V的低驱动导通电阻RDS （ ON） = 0.8 MAX |
晶体 晶体管 开关 脉冲 栅 驱动 | |||
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2SK2084S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance High speed switching Low drive current Suitable for Switching regulator 低导通电阻高速开关低驱动电流，适用于开关稳压器 |
晶体 稳压器 开关 晶体管 脉冲 驱动 | |||
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2SK2112
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance RDS(on)=1.2 MAX. VGS=4.0V,ID=0.5A High switching speed 低导通电阻RDS （ ON） = 1.2 MAX 。 VGS = 4.0V ， ID = 0.5A高开关速度 |
晶体 开关 晶体管 脉冲 | |||
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2SK2479
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low On-state Resistance:RDS(on)=7.5 max.(VGS=10V,ID=2.0A) High Avalanche Capability Ratings 低通态电阻： RDS （ ON） = 7.5最大值（ VGS = 10V ， ID = 2.0A ）高雪崩性能 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK2481
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low On-state Resistance:RDS(on)=4 max.(VGS=10V,ID=2.0A) High Avalanche Capability Ratings 低通态电阻： RDS （ ON） = 4 MAX（ VGS = 10V ， ID = 2.0A ）高雪崩性能等级。 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK2484
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low On-state Resistance:RDS(on)=2.8 max.(VGS=10V,ID=3.0A) High Avalanche Capability Ratings 低通态电阻： RDS （ ON） = 2.8最大值（ VGS = 10V ， ID = 3.0A ）高雪崩性能 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK2570ZL-TL-E
中文翻译 品牌: RENESAS |
Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching 硅N沟道MOS FET低频电源开关 |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 电源开关 光电二极管 | ||
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2SK2570ZL-TR-E
中文翻译 品牌: RENESAS |
Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching 硅N沟道MOS FET低频电源开关 |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 电源开关 光电二极管 | ||
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2SK2887
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance. Fast switching speed Wide SOA (safe operating area) Easy to parallel. 低导通电阻。开关速度快范围的SOA （安全工作区）易于平行。 |
晶体 开关 晶体管 脉冲 | |||
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2SK2925S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance RDS =0.060 typ. 4V gate drive device can be driven from 5V source 低导通电阻RDS = 0.060 （典型值） 。 4V栅极驱动器可从5V电源来驱动 |
晶体 驱动器 栅极 晶体管 开关 脉冲 栅极驱动 | |||
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2SK2926S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance RDS =0.042 typ. High speed switching 低导通电阻RDS = 0.042 （典型值） 。高速开关 |
晶体 开关 晶体管 脉冲 | |||
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2SK3112
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Gate voltage rating -30 V Low on-state resistance RDS(on) = 110m MAX. 栅极电压等级-30 V低通态电阻RDS （ ON） = 110米MAX 。 |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3116
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low gate charge QG = 26 nC TYP. (ID = 7.5 A, VDD = 450 V, VGS = 10 V) 低栅极电荷Qg = 26 NC TYP 。 （ID = 7.5 A， VDD = 450 V， VGS = 10V） |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3269
中文翻译 品牌: TYSEMI |
4.5 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 = 12 m MAX. (VGS= 10 V, ID = 18 A) 4.5 V可驱动低通态电阻RDS（on ） 1 = 12 m最大。 （ VGS = 10V ， ID = 18 A |
晶体 晶体管 开关 脉冲 驱动 | |||
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2SK3295
中文翻译 品牌: TYSEMI |
4.5 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 = 18 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) 4.5 V可驱动低通态电阻RDS（on ） 1 = 18 m最大。 （ VGS = 10V ， ID = 18 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 驱动 局域网 | |||
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2SK3296
中文翻译 品牌: TYSEMI |
4.5 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 = 12m MAX. (VGS= 10 V, ID = 18 A) 4.5 V可驱动低通态电阻RDS（on ） 1 = 12米MAX 。 （ VGS = 10V ， ID = 18 A |
晶体 晶体管 开关 脉冲 驱动 局域网 | |||
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2SK3299
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low gate charge QG = 34 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 10 A) 低栅极电荷Qg = 34 NC TYP 。 （ VDD = 450 V， VGS = 10V ， ID = 10A） |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3305
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low gate charge QG = 13 nC TYP. (VDD = 400V, VGS = 10 V, ID = 5.0A) 低栅极电荷Qg = 13 NC TYP 。 （ VDD = 400V ， VGS = 10V ， ID = 5.0A ） |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3354
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 8.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) 超低通态电阻： RDS （ ON） 1 = 8.0米MAX 。 （ VGS = 10V ， ID = 42 A） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3355
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 5.8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) 超低通态电阻： RDS （ ON） 1 = 5.8米MAX 。 （ VGS = 10V ， ID = 42 A） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 |