| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N5639AE3/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):15.3V;最小反向击穿电压VBR(V):17.1V;最大钳位电压Vc(V):25.2V;最大峰值脉冲电流IPP(A):59.5A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;元器件封装:DO-13; | 脉冲 | |||
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1N5646AE3/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):30.8V;最小反向击穿电压VBR(V):34.2V;最大钳位电压Vc(V):49.9V;最大峰值脉冲电流IPP(A):30A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;元器件封装:DO-13; | 脉冲 | |||
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1N5653E3/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):55.1V;最小反向击穿电压VBR(V):61.2V;最大钳位电压Vc(V):98V;最大峰值脉冲电流IPP(A):15.3A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;元器件封装:DO-13; | 脉冲 | |||
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1N5655AE3/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):70.1V;最小反向击穿电压VBR(V):77.9V;最大钳位电压Vc(V):113V;最大峰值脉冲电流IPP(A):13.3A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;元器件封装:DO-13; | 脉冲 | |||
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1N5656AE3/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):77.8V;最小反向击穿电压VBR(V):86.5V;最大钳位电压Vc(V):125V;最大峰值脉冲电流IPP(A):12A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;元器件封装:DO-13; | 脉冲 | |||
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1N5660AE3/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):111V;最小反向击穿电压VBR(V):124V;最大钳位电压Vc(V):179V;最大峰值脉冲电流IPP(A):8.4A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;元器件封装:DO-13; | 脉冲 | |||
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1N5907E3/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):5V;最小反向击穿电压VBR(V):6V;最大钳位电压Vc(V):8.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):60A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;元器件封装:DO-13; | 脉冲 | |||
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1N8149E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):6.8V;最小反向击穿电压VBR(V):7.79V;最大钳位电压Vc(V):12.8V;最大峰值脉冲电流IPP(A):11.7A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W（1.5kW）;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8149USE3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):6.8V;最小反向击穿电压VBR(V):7.79V;最大钳位电压Vc(V):12.8V;最大峰值脉冲电流IPP(A):11.7A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，SQ-MELF; | 脉冲 | |||
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1N8150E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):7.5V;最小反向击穿电压VBR(V):8.65V;最大钳位电压Vc(V):13.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):11.1A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8150USE3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):7.5V;最小反向击穿电压VBR(V):8.65V;最大钳位电压Vc(V):13.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):11.1A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，SQ-MELF; | 脉冲 | |||
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1N8151E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):8.5V;最小反向击穿电压VBR(V):9.5V;最大钳位电压Vc(V):14.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):10.3A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8151USE3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):8.5V;最小反向击穿电压VBR(V):9.5V;最大钳位电压Vc(V):14.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):10.3A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，SQ-MELF; | 脉冲 | |||
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1N8152E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):9V;最小反向击穿电压VBR(V):10.4V;最大钳位电压Vc(V):15.6V;最大峰值脉冲电流IPP(A):9.62A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8152USE3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):9V;最小反向击穿电压VBR(V):10.4V;最大钳位电压Vc(V):15.6V;最大峰值脉冲电流IPP(A):9.62A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，SQ-MELF; | 脉冲 | |||
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1N8153E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):10V;最小反向击穿电压VBR(V):11.4V;最大钳位电压Vc(V):16.9V;最大峰值脉冲电流IPP(A):8.88A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8153USE3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):10V;最小反向击穿电压VBR(V):11.4V;最大钳位电压Vc(V):16.9V;最大峰值脉冲电流IPP(A):8.88A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，SQ-MELF; | 脉冲 | |||
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1N8154E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):11V;最小反向击穿电压VBR(V):12.4V;最大钳位电压Vc(V):18.2V;最大峰值脉冲电流IPP(A):8.24A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8154USE3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):11V;最小反向击穿电压VBR(V):12.4V;最大钳位电压Vc(V):18.2V;最大峰值脉冲电流IPP(A):8.24A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，SQ-MELF; | 脉冲 | |||
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1N8155E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):12V;最小反向击穿电压VBR(V):13.8V;最大钳位电压Vc(V):20.2V;最大峰值脉冲电流IPP(A):7.42A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8156E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):13V;最小反向击穿电压VBR(V):15.2V;最大钳位电压Vc(V):22.3V;最大峰值脉冲电流IPP(A):6.73A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8156USE3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):13V;最小反向击穿电压VBR(V):15.2V;最大钳位电压Vc(V):22.3V;最大峰值脉冲电流IPP(A):6.73A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，SQ-MELF; | 脉冲 | |||
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1N8157E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):15V;最小反向击穿电压VBR(V):17.1V;最大钳位电压Vc(V):25.1V;最大峰值脉冲电流IPP(A):5.98A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8157USE3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):15V;最小反向击穿电压VBR(V):17.1V;最大钳位电压Vc(V):25.1V;最大峰值脉冲电流IPP(A):5.98A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，SQ-MELF; | 脉冲 | |||
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1N8158E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):17V;最小反向击穿电压VBR(V):19V;最大钳位电压Vc(V):27.7V;最大峰值脉冲电流IPP(A):5.42A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8158USE3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):17V;最小反向击穿电压VBR(V):19V;最大钳位电压Vc(V):27.7V;最大峰值脉冲电流IPP(A):5.42A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，SQ-MELF; | 脉冲 | |||
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1N8159E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):18V;最小反向击穿电压VBR(V):20.9V;最大钳位电压Vc(V):30.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):4.92A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8159USE3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):18V;最小反向击穿电压VBR(V):20.9V;最大钳位电压Vc(V):30.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):4.92A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，SQ-MELF; | 脉冲 | |||
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1N8160E3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):20V;最小反向击穿电压VBR(V):22.8V;最大钳位电压Vc(V):33.3V;最大峰值脉冲电流IPP(A):4.5A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，轴向; | 脉冲 | |||
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1N8160USE3
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
反向峰值电压VRWM(V):20V;最小反向击穿电压VBR(V):22.8V;最大钳位电压Vc(V):33.3V;最大峰值脉冲电流IPP(A):4.5A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):150W;元器件封装:A，SQ-MELF; | 脉冲 |
MICROCHIP是什么品牌：Microchip公司自成立以来，就密切关注嵌入控制半导体产品市场。为了占领市场，集中了所有的技术、设计、生产、销售等各方面资源发展了两大拳头产品：PIC8位单片机（MCU）和高品质的串行 EEPROM。到目前为止，Microchip公司已推出微控制器外围设备、模拟产品、RFID智能卡、KEELOQ保安产品，可设计出更全面,更具价值的嵌入控制系统方案，以满足用户日益增长的需求。 嵌入控制系统 不同于PC机和工作站的"处理器"，系统计算和处理元件是内嵌在整个嵌入控制系统中，用户接触到的只是高级用户接口，如：键盘、显示设备、高级指令等。因此，终端用户无需了解嵌入控制系统，不像PC用户一样需熟悉处理器型号，时钟速度，DMA容量等。 编程能力 Microchip创新性的迁移存储技术，使具有相同容量的ROM，OTP，FLASH单片机的插座和软件兼容。迁移存储技术允许用户在产品的各个阶段匹配选择单片机的存储器，同时提供一条低成本方案的迁移路径。