型号等于：	023 (1) 0230200L (1) 0230200LE3 (1) 0230300L (1) 0230400L (1) 0230400LE3 (1) 0230500L (1) 0230500LE3 (1) 0230600L (1) 0230600LE3 (1) 035 (1) 03508G2F (1) 03508GF (1) 03508GWFE3 (1) 03508HWF (1) 03508HWFE3 (1) 03508JWF (1) 03508JWFE3 (1) 03508KWF (1) 03510G2F (1) 03510GF (1) 03510GWFE3 (1) 03510GXFE3 (1) 03510HWFE3 (1) 03510HXFE3 (1) 03510JWF (1) 03510JXF (1) 03510KWF (1) 03510KXFE3 (1) 03512G2F (1) 03512GF (1)
型号起始：	0150SC-125* (1) 023* (1) 0230200L* (1) 0230200LE3* (1) 0230300L* (1) 0230400L* (1) 0230400LE3* (1) 0230500L* (1) 0230500LE3* (1) 0230600L* (1) 0230600LE3* (1) 035* (1) 03508G2F* (1) 03508GF* (1) 03508GWFE3* (1) 03508HWF* (1) 03508HWFE3* (1) 03508JWF* (1) 03508JWFE3* (1) 03508KWF* (1) 03510G2F* (1) 03510GF* (1) 03510GWFE3* (1) 03510GXFE3* (1) 03510HWFE3* (1) 03510HXFE3* (1) 03510JWF* (1) 03510JXF* (1) 03510KWF* (1) 03510KXFE3* (1) 03512G2F* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(531071)
功能分类：	不限测试(114702) 二极管(198339) 局域网(72570) 光电二极管(50272) 机械(16189) 振荡器(16234) 整流二极管(16317) 桥式整流二极管(12698) 齐纳二极管(35904) 温度补偿(9012) CD(9533) 瞬态抑制器(12105) ATM(4389) 异步传输模式(4389) 电视(9064) 栅(7961) 稳压二极管(5932) 内存集成电路(4700) 时钟(2813) 可编程逻辑(5440) 输出元件(2448) 电信(1553) 电信集成电路(1559) 继电器(973) 闪存(1338) 静态存储器(2730) 稳压器(1222) 现场可编程门阵列(1745) 晶体管(4339) 动态存储器(1092) 双倍数据速率(791) 石英晶振(973) 变容二极管(933) 超快恢复二极管(1511) 快速恢复二极管(2266) 压控振荡器(435) 栅极(618) 软恢复二极管(431) 软恢复能力电源(412) 稳流二极管(299) 衰减器(712) 开关(3249) 晶体(2536) 存储(514) 功率场效应晶体管(412) 脉冲(1041) 控制器(326) 蜂窝(369) 输入元件(197) 双极性晶体管(683) 高压(693)

MICROSEMI - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：10000+

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1.5SMCJ110A 中文翻译品牌: MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN	可编程只读存储器局域网光电二极管
		1.5SMCJ110AE3 中文翻译品牌: MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN	局域网光电二极管
		10BQ100 中文翻译品牌: MICROSEMI	1 Amp Schottky Rectifier 1安培肖特基整流器	整流二极管光电二极管
		10MQ040N 中文翻译品牌: MICROSEMI	1 Amp Schottky Rectifier 1安培肖特基整流器	整流二极管光电二极管
		1EZ100D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ100DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ110D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ110D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ110D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ110D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ110D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ110D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ110D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ110D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ110DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ110DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 83.6 V;额定稳压值(Vz):110 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ120D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 91.2 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		1EZ120D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 91.2 V;额定稳压值(Vz):120 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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MICROSEMI是什么品牌：Microsemi Corporation为航空与国防、通信、数据中心与工业市场提供全面的半导体和系统解决方案产品组合。产品包括高性能和抗辐射模拟混合信号集成电路、FPGA、SoC 和 ASIC；电源管理产品；计时和同步设备以及精密时间解决方案、设定时间世界标准；语音处理设备；视频解决方案；离散式元件；企业储存和通信解决方案、安全技术与可扩展防篡改产品；以太网解决方案；以太网供电集成电路和中跨设备；以及定制设计能力与服务。 Microsemi现为 Microchip Technology Inc.的子公司。