型号等于：	023 (1) 0230200L (1) 0230200LE3 (1) 0230300L (1) 0230400L (1) 0230400LE3 (1) 0230500L (1) 0230500LE3 (1) 0230600L (1) 0230600LE3 (1) 035 (1) 03508G2F (1) 03508GF (1) 03508GWFE3 (1) 03508HWF (1) 03508HWFE3 (1) 03508JWF (1) 03508JWFE3 (1) 03508KWF (1) 03510G2F (1) 03510GF (1) 03510GWFE3 (1) 03510GXFE3 (1) 03510HWFE3 (1) 03510HXFE3 (1) 03510JWF (1) 03510JXF (1) 03510KWF (1) 03510KXFE3 (1) 03512G2F (1) 03512GF (1)
型号起始：	0150SC-125* (1) 023* (1) 0230200L* (1) 0230200LE3* (1) 0230300L* (1) 0230400L* (1) 0230400LE3* (1) 0230500L* (1) 0230500LE3* (1) 0230600L* (1) 0230600LE3* (1) 035* (1) 03508G2F* (1) 03508GF* (1) 03508GWFE3* (1) 03508HWF* (1) 03508HWFE3* (1) 03508JWF* (1) 03508JWFE3* (1) 03508KWF* (1) 03510G2F* (1) 03510GF* (1) 03510GWFE3* (1) 03510GXFE3* (1) 03510HWFE3* (1) 03510HXFE3* (1) 03510JWF* (1) 03510JXF* (1) 03510KWF* (1) 03510KXFE3* (1) 03512G2F* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(531071)
功能分类：	不限测试(114702) 二极管(198339) 局域网(72570) 光电二极管(50272) 机械(16189) 振荡器(16234) 整流二极管(16317) 桥式整流二极管(12698) 齐纳二极管(35904) 温度补偿(9012) CD(9533) 瞬态抑制器(12105) ATM(4389) 异步传输模式(4389) 电视(9064) 栅(7961) 稳压二极管(5932) 内存集成电路(4700) 时钟(2813) 可编程逻辑(5440) 输出元件(2448) 电信(1553) 电信集成电路(1559) 继电器(973) 闪存(1338) 静态存储器(2730) 稳压器(1222) 现场可编程门阵列(1745) 晶体管(4339) 动态存储器(1092) 双倍数据速率(791) 石英晶振(973) 变容二极管(933) 超快恢复二极管(1511) 快速恢复二极管(2266) 压控振荡器(435) 栅极(618) 软恢复二极管(431) 软恢复能力电源(412) 稳流二极管(299) 衰减器(712) 开关(3249) 晶体(2536) 存储(514) 功率场效应晶体管(412) 脉冲(1041) 控制器(326) 蜂窝(369) 输入元件(197) 双极性晶体管(683) 高压(693)

MICROSEMI - 型号起始 - 射频; 总记录数：808

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		0150SC-1250M 中文翻译品牌: MICROSEMI	1250Watts, 125 Volts, Class AB 150 to 160 MHz Silicon Carbide SIT 1250Watts ，电压125伏， AB类150 〜160 MHz的碳化硅SIT
		0405SC-1500M 中文翻译品牌: MICROSEMI	1500Watts, 125 Volts, Class AB 406 to 450 MHz Silicon Carbide SIT 1500Watts ，电压125伏， AB类406 〜450 MHz的碳化硅SIT	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
		0405SC-2200M 中文翻译品牌: MICROSEMI	2200Watts, 125 Volts, Class AB 406 to 450 MHz Silicon Carbide SIT 2200Watts ，电压125伏， AB类406 〜450 MHz的碳化硅SIT	晶体射频场效应晶体管放大器
		0912LD20 中文翻译品牌: MICROSEMI	20 Watts, 28 Volts Pulsed Avionics 960 to 1215 MHz LDMOS FET 20瓦， 28伏特，脉冲航空电子设备960到1215 MHz的LDMOS FET	晶体射频场效应晶体管脉冲电子放大器航空局域网
		1000MP 中文翻译品牌: MICROSEMI	0.6 Watts, 18 Volts 1150 MHz 0.6瓦， 18伏特1150兆赫	晶体晶体管放大器
		1002MP 中文翻译品牌: MICROSEMI	2 Watts, 35 Volts Pulsed Avionics at 960-1215 MHz 2瓦， 35伏特，脉冲航空电子设备在960-1215兆赫	晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管脉冲电子放大器航空
		1014-6A 中文翻译品牌: MICROSEMI	6 Watts - 28 Volts, Class C Microwave 1000 - 1400 MHz 6瓦 - 28伏特， C类微波一〇〇〇年至1400年兆赫	晶体晶体管微波放大器局域网
		1015MP 中文翻译品牌: MICROSEMI	15 Watts, 50 Volts Avionics 1025 - 1150 MHz 15瓦， 50伏特航空电子1125至50年兆赫	晶体射频双极晶体管电子放大器航空
		1075MP 中文翻译品牌: MICROSEMI	75 Watts, 50 Volts, Class C Avionics 1025 - 1150 MHz 75瓦， 50伏特， C类航空电子1025年至1150年兆赫	晶体射频双极晶体管电子放大器航空
		1090MP 中文翻译品牌: MICROSEMI	90 Watts, 50 Volts, Class C Avionics 1025 - 1150 MHz 90瓦， 50伏特， C类航空电子1025年至1150年兆赫	晶体晶体管电子放大器航空
		1214-110M 中文翻译品牌: MICROSEMI	110 Watts - 50 Volts, 330μs, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 110瓦 - 50伏特， 330μs ， 10 ％雷达1200年至1400年兆赫	雷达
		1214-110V 中文翻译品牌: MICROSEMI	110 Watts - 50 Volts, 330μs, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 110瓦 - 50伏特， 330μs ， 10 ％雷达1200年至1400年兆赫	晶体射频双极晶体管雷达局域网
		1214-370V 中文翻译品牌: MICROSEMI	370 Watts - 50 Volts, 330 μs, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 370瓦 - 50伏， 330微秒， 10 ％雷达1200年至1400年兆赫	晶体射频双极晶体管雷达局域网
		1214-550P 中文翻译品牌: MICROSEMI	550 Watts - 300Î¼s, 10%, 42V L-Band Pulsed Radar 1200 - 1400 MHz 550瓦 - 300Î¼s ， 10 ％， 42V L波段脉冲雷达1400至00年兆赫	射频和微波射频放大器微波放大器脉冲雷达
		1214-700P 中文翻译品牌: MICROSEMI	700 Watts - 300μs, 10%, +50V L-Band Pulsed Radar 1200 - 1400 MHz 700瓦 - 300μS ，10％， + 50V L波段脉冲雷达1400至00年兆赫	脉冲雷达
		1214-800P 中文翻译品牌: MICROSEMI	800 Watts - 300μs, 10%, +50V L-Band Pulsed Radar 1200 - 1400 MHz 800瓦 - 300μS ，10％， + 50V L波段脉冲雷达1400至00年兆赫	射频和微波射频放大器微波放大器脉冲雷达
		2729-170 中文翻译品牌: MICROSEMI	170 Watts, 38 Volts, 100祍, 10% Radar 2700-2900 MHz 170瓦， 38伏， 100祍， 10 ％雷达2700至2900年兆赫	晶体射频双极晶体管开关雷达局域网
		2729-300P 中文翻译品牌: MICROSEMI	300 Watts - 100μs, 10%, 36V S-Band Pulsed Radar 2700 - 2900 MHz 300瓦 - 为100μs ，10％， 36V S波段脉冲雷达2700年至2900年兆赫	射频和微波射频放大器微波放大器脉冲雷达
		2731-100M 中文翻译品牌: MICROSEMI	100 Watts, 36 Volts, 200us, 10% Radar 2700-3100 MHz 100瓦， 36伏特，为200us ， 10 ％雷达2700-3100兆赫	雷达
		2731GN-110M 中文翻译品牌: MICROSEMI	RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel
		2731GN-200M 中文翻译品牌: MICROSEMI	RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel
		2N2857 中文翻译品牌: MICROSEMI	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 射频与微波离散小功率三极管	晶体晶体管射频微波放大器
		2N2857UBE3 中文翻译品牌: MICROSEMI	RF Small Signal Bipolar Transistor,
		2N3375 中文翻译品牌: MICROSEMI	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF-UHF CLASS C WIDE BAND 射频与微波晶体管VHF- UHF C类WIDE BAND	晶体射频双极晶体管微波
		2N3632 中文翻译品牌: MICROSEMI	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF-UHF CLASS C WIDE BAND 射频与微波晶体管VHF- UHF C类WIDE BAND	晶体晶体管射频微波
		2N3733 中文翻译品牌: MICROSEMI	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF-UHF CLASS C WIDE BAND 射频与微波晶体管VHF- UHF C类WIDE BAND	晶体晶体管射频微波
		2N3821UB 中文翻译品牌: MICROSEMI	N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE N沟道J-FET耗尽型	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		2N3822 中文翻译品牌: MICROSEMI	TECHNICAL DATA 技术参数	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		2N3822UB 中文翻译品牌: MICROSEMI	N-CHANNEL J-FET DEPLETION MODE N沟道J-FET耗尽型	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		2N3823 中文翻译品牌: MICROSEMI	TECHNICAL DATA 技术参数	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管

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MICROSEMI是什么品牌：Microsemi Corporation为航空与国防、通信、数据中心与工业市场提供全面的半导体和系统解决方案产品组合。产品包括高性能和抗辐射模拟混合信号集成电路、FPGA、SoC 和 ASIC；电源管理产品；计时和同步设备以及精密时间解决方案、设定时间世界标准；语音处理设备；视频解决方案；离散式元件；企业储存和通信解决方案、安全技术与可扩展防篡改产品；以太网解决方案；以太网供电集成电路和中跨设备；以及定制设计能力与服务。 Microsemi现为 Microchip Technology Inc.的子公司。