品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
0405-1000M
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
1000 Watts - 40 Volts, 300us, 10% UHF Pulsed Radar 400 - 450 MHz 1000瓦 - 40伏, 300US ,10%超高频脉冲雷达400 - 450兆赫 |
脉冲 雷达 | |||
![]() |
0405-1000M_1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
1000 Watts - 40 Volts, 300μs, 10% UHF Pulsed Radar 400 - 450 MHz 1000瓦 - 40伏, 300μS ,10%超高频脉冲雷达400 - 450兆赫 |
脉冲 雷达 | |||
![]() |
0405-500L
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
500 Watts - 32Volts, 1100μs, 26% UHF Pulsed Radar 400 - 450 MHz 500瓦 - 32Volts , 1100μs , 26%的超高频脉冲雷达400 - 450兆赫 |
脉冲 雷达 | |||
![]() |
0912LD20
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
20 Watts, 28 Volts Pulsed Avionics 960 to 1215 MHz LDMOS FET 20瓦, 28伏特,脉冲航空电子设备960到1215 MHz的LDMOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 脉冲 电子 放大器 航空 局域网 | |||
![]() |
1002MP
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
2 Watts, 35 Volts Pulsed Avionics at 960-1215 MHz 2瓦, 35伏特,脉冲航空电子设备在960-1215兆赫 |
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 脉冲 电子 放大器 航空 | |||
![]() |
1002MP_10
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
2 Watts, 35 Volts Pulsed Avionics at 960-1215 MHz 2瓦, 35伏特,脉冲航空电子设备在960-1215兆赫 |
脉冲 电子 航空 | |||
![]() |
1011LD110A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
110 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET 110瓦, 32伏特,脉冲航空电子1030年至1090年兆赫LDMOS FET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 电子 航空 局域网 | |||
![]() |
1011LD110B
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
110 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET 110瓦, 32伏特,脉冲航空电子1030年至1090年兆赫LDMOS FET |
脉冲 电子 航空 | |||
![]() |
![]() |
10502
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
500 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030 / 1090 MHz 500瓦, 50伏特,脉冲式航空电子一千零九十〇分之一千零三十兆赫 |
脉冲 电子 航空 | ||
![]() |
10502_10
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
500 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030 / 1090 MHz 500瓦, 50伏特,脉冲式航空电子一千零九十〇分之一千零三十兆赫 |
脉冲 电子 航空 | |||
![]() |
1214-550P
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
550 Watts - 300μs, 10%, 42V L-Band Pulsed Radar 1200 - 1400 MHz 550瓦 - 300μs , 10 % , 42V L波段脉冲雷达1400至00年兆赫 |
射频和微波 射频放大器 微波放大器 脉冲 雷达 | |||
![]() |
1214-700P
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
700 Watts - 300μs, 10%, +50V L-Band Pulsed Radar 1200 - 1400 MHz 700瓦 - 300μS ,10%, + 50V L波段脉冲雷达1400至00年兆赫 |
脉冲 雷达 | |||
![]() |
1214-800P
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
800 Watts - 300μs, 10%, +50V L-Band Pulsed Radar 1200 - 1400 MHz 800瓦 - 300μS ,10%, + 50V L波段脉冲雷达1400至00年兆赫 |
射频和微波 射频放大器 微波放大器 脉冲 雷达 | |||
![]() |
1525AJ
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
REGULATING PULSE WIDTH MODULATOR 调整脉冲宽度调制器 |
脉冲 | |||
![]() |
1N6301AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
反向峰值电压VRWM(V):145V;最小反向击穿电压VBR(V):162V;最大钳位电压Vc(V):234V;最大峰值脉冲电流IPP(A):6.4A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W(1.5kW);元器件封装:CASE-1; | 脉冲 | |||
![]() |
1N6302E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
反向峰值电压VRWM(V):146V;最小反向击穿电压VBR(V):162V;最大钳位电压Vc(V):258V;最大峰值脉冲电流IPP(A):5.8A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):1500W(1.5kW);元器件封装:CASE-1; | 脉冲 | |||
![]() |
2729-300P
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
300 Watts - 100μs, 10%, 36V S-Band Pulsed Radar 2700 - 2900 MHz 300瓦 - 为100μs ,10%, 36V S波段脉冲雷达2700年至2900年兆赫 |
射频和微波 射频放大器 微波放大器 脉冲 雷达 | |||
![]() |
2731-200P
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
200 Watts - 200μs, 10%, 36V S-Band Pulsed Radar 2700 - 3100 MHz 200瓦 - 为200ps ,10%, 36V S波段脉冲雷达2700 - 3100兆赫 |
脉冲 雷达 | |||
![]() |
![]() |
2N6756
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
![]() |
![]() |
2N6758
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
![]() |
![]() |
2N6760
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
![]() |
2N6760TXV
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
![]() |
![]() |
2N6762
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
![]() |
2N6762TXV
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
![]() |
2N6764E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, ROHS COMPLIANT, TO-3, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
![]() |
![]() |
2N6782
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
![]() |
![]() |
2N6784
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
![]() |
2N6786
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor | 开关 脉冲 晶体管 | |||
![]() |
2N6788E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, ROHS COMPLIANT, HERMETI | 脉冲 晶体管 | |||
![]() |
![]() |
2N6798
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 脉冲 |
MICROSEMI是什么品牌:Microsemi Corporation为航空与国防、通信、数据中心与工业市场提供全面的半导体和系统解决方案产品组合。产品包括高性能和抗辐射模拟混合信号集成电路、FPGA、SoC 和 ASIC;电源管理产品;计时和同步设备以及精密时间解决方案、设定时间世界标准;语音处理设备;视频解决方案;离散式元件;企业储存和通信解决方案、安全技术与可扩展防篡改产品;以太网解决方案;以太网供电集成电路和中跨设备;以及定制设计能力与服务。
Microsemi现为 Microchip Technology Inc.的子公司。