型号等于：	N08T1630C1BT (1)
型号起始：	N08T1630C1B* (14) N08T1630C1BT* (10) N08T1630C1BZ* (4)
所属品牌：	不限 NANOAMP(14)
功能分类：	不限静态存储器(14) 光电二极管(1) 内存集成电路(1)

N08T1630C1B - 型号起始 - 静态存储器; 总记录数：14

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		N08T1630C1BT 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C1BT-55 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C1BT-55I 中文翻译品牌: NANOAMP	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器光电二极管内存集成电路
		N08T1630C1BT-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C1BT-70I 中文翻译品牌: NANOAMP	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器
		N08T1630C1BT2 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C1BT2-55 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C1BT2-55I 中文翻译品牌: NANOAMP	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44	静态存储器
		N08T1630C1BT2-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C1BT2-70I 中文翻译品牌: NANOAMP	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	静态存储器
		N08T1630C1BZ-55 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C1BZ-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C1BZ2-55 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C1BZ2-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器

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