型号等于：	20N65C3 (1) 2N7002 (1) 2N7002K (1) 2N7002K * (1) A2N7002K (1) BSS123K* (1) BSS138 (1) BSS138K (1) NCE0102 (1) NCE0102A (1) NCE0102B (1) NCE0102M (1) NCE0102Z (1) NCE0103 (1) NCE0103M (1) NCE0103Y (1) NCE0104AN (1) NCE0104S (1) NCE0105M (1) NCE0106AR (1) NCE0106R (1) NCE0106Z (1) NCE0107AK (1) NCE0108AS (1) NCE0110AK (1) NCE0110AS (1) NCE0110K (1) NCE0115AK (1) NCE0115K (1) NCE0117 (1) NCE0117AK (1)
型号起始：	20N65C3* (1) 2N7002* (1) 2N7002K* (1) 2N7002K ** (1) A2N7002K* (1) BSS123K** (1) BSS138* (1) BSS138K* (1) MBR20100C* (1) NCE0102* (1) NCE0102A* (1) NCE0102B* (1) NCE0102E * (1) NCE0102M* (1) NCE0102Z* (1) NCE0103* (1) NCE0103M* (1) NCE0103Y* (1) NCE0104AN* (1) NCE0104S* (1) NCE0105M* (1) NCE0106AR* (1) NCE0106R* (1) NCE0106Z* (1) NCE0107AK* (1) NCE0108AS* (1) NCE0110AK* (1) NCE0110AS* (1) NCE0110K* (1) NCE0115AK* (1) NCE0115K* (1)
所属品牌：	不限 NCEPOWER(1674)
功能分类：	不限开关(612) 栅(320) 栅极(309) 双极性晶体管(232) 二极管(93) 局域网(1) 光电二极管(3) 晶体(2) 晶体管(2) PC(1)

NCEPOWER - 型号起始; 总记录数：1889

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		NCE035N30K 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE035P40GU 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE042N30G 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE042N30K 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE048N30Q 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE04N65 中文翻译品牌: NCEPOWER	Super Junction MOSFET 超级结MOSFET
		NCE05ER65BK 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE064N40 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE064N40K 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE064N40Q 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE065P30Q 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE06ER65BK 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE07N65 中文翻译品牌: NCEPOWER	Super Junction MOSFET 超级结MOSFET
		NCE07N65F 中文翻译品牌: NCEPOWER	Super Junction MOSFET 超级结MOSFET
		NCE07T60BI 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE07TD60B 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE07TD60BD 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE07TD60BF 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE07TD60BI 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE07TD60BK 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE088N40Q 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE090P40K 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE090P40Q 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE09N70AT 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE09N80A 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等	开关
		NCE100ED65BT 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE100ED65BT4 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE100ED65VT 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE100ED65VT4 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管
		NCE100ED65VTP 中文翻译品牌: NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业	双极性晶体管

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NCEPOWER是什么品牌：无锡新洁能股份有限公司（以下简称“公司”）成立于2013年1月，注册资本为21,300万元，拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人，其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域；未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展，公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。