型号等于:20N65C3 (1) 2N7002 (1) 2N7002K (1) 2N7002K * (1) A2N7002K (1) BSS123K* (1) BSS138 (1) BSS138K (1) NCE0102 (1) NCE0102A (1) NCE0102B (1) NCE0102M (1) NCE0102Z (1) NCE0103 (1) NCE0103M (1) NCE0103Y (1) NCE0104AN (1) NCE0104S (1) NCE0105M (1) NCE0106AR (1) NCE0106R (1) NCE0106Z (1) NCE0107AK (1) NCE0108AS (1) NCE0110AK (1) NCE0110AS (1) NCE0110K (1) NCE0115AK (1) NCE0115K (1) NCE0117 (1) NCE0117AK (1)
型号起始:20N65C3* (1) 2N7002* (1) 2N7002K* (1) 2N7002K ** (1) A2N7002K* (1) BSS123K** (1) BSS138* (1) BSS138K* (1) MBR20100C* (1) NCE0102* (1) NCE0102A* (1) NCE0102B* (1) NCE0102E * (1) NCE0102M* (1) NCE0102Z* (1) NCE0103* (1) NCE0103M* (1) NCE0103Y* (1) NCE0104AN* (1) NCE0104S* (1) NCE0105M* (1) NCE0106AR* (1) NCE0106R* (1) NCE0106Z* (1) NCE0107AK* (1) NCE0108AS* (1) NCE0110AK* (1) NCE0110AS* (1) NCE0110K* (1) NCE0115AK* (1) NCE0115K* (1)
所属品牌:不限 NCEPOWER(1674)
功能分类:不限 开关(612) (320) 栅极(309) 双极性晶体管(232) 二极管(93) 局域网(1) 光电二极管(3) 晶体(2) 晶体管(2) PC(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
NCE2004Y
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE2006NE*
中文翻译 品牌: NCEPOWER
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结
NCE2006Y
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE2007N
中文翻译 品牌: NCEPOWER
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结
NCE2007NS
中文翻译 品牌: NCEPOWER
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结
NCE2008E*
中文翻译 品牌: NCEPOWER
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结
NCE2008N
中文翻译 品牌: NCEPOWER
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结
NCE200ED65BTP
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业 双极性晶体管
NCE200ED65VTP4
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业 双极性晶体管
NCE200ED75BTP
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业 双极性晶体管
NCE200ED75VTP
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业 双极性晶体管
NCE2010E
中文翻译 品牌: NCEPOWER
漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):7A;类型:N-Channel;栅源耐压Vgs(V):±10V;最小工作温度(℃):0;元器件封装:8-TSSOP;
NCE2010E*
中文翻译 品牌: NCEPOWER
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结
NCE2012
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE2013J
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE2014ES*
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE2025I
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE2025S
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE2030
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE2030K
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE2030U
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE2060K
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE2090K
中文翻译 品牌: NCEPOWER
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 开关
NCE20G120T
中文翻译 品牌: NCEPOWER
1200V, 20A, Trench NPT IGBT
1200V , 20A ,地沟NPT IGBT
双极性晶体管
NCE20N50
中文翻译 品牌: NCEPOWER
Super Junction MOSFET
超级结MOSFET
NCE20N50F
中文翻译 品牌: NCEPOWER
Super Junction MOSFET
超级结MOSFET
NCE20N60
中文翻译 品牌: NCEPOWER
Super Junction MOSFET
超级结MOSFET
NCE20N60F
中文翻译 品牌: NCEPOWER
Super Junction MOSFET
超级结MOSFET
NCE20N65
中文翻译 品牌: NCEPOWER
Super Junction MOSFET
超级结MOSFET
NCE20N65F
中文翻译 品牌: NCEPOWER
Super Junction MOSFET
超级结MOSFET
Total:3001...12345678910
总300+条记录,每页显示30条记录分10页显示。
NCEPOWER是什么品牌:无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资本为21,300万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人,其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。