品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NCE2004Y
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE2006NE*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结 | ||||
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NCE2006Y
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE2007N
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结 | ||||
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NCE2007NS
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结 | ||||
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NCE2008E*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结 | ||||
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NCE2008N
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结 | ||||
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NCE200ED65BTP
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业 | 双极性晶体管 | |||
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NCE200ED65VTP4
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业 | 双极性晶体管 | |||
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NCE200ED75BTP
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业 | 双极性晶体管 | |||
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NCE200ED75VTP
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业 | 双极性晶体管 | |||
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NCE2010E
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):7A;类型:N-Channel;栅源耐压Vgs(V):±10V;最小工作温度(℃):0;元器件封装:8-TSSOP; | 栅 | |||
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NCE2010E*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结 | ||||
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NCE2012
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE2013J
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE2014ES*
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE2025I
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE2025S
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE2030
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE2030K
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE2030U
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE2060K
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE2090K
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等 | 开关 | |||
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NCE20G120T
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
1200V, 20A, Trench NPT IGBT 1200V , 20A ,地沟NPT IGBT |
双极性晶体管 | |||
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NCE20N50
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
Super Junction MOSFET 超级结MOSFET |
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NCE20N50F
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
Super Junction MOSFET 超级结MOSFET |
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NCE20N60
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
Super Junction MOSFET 超级结MOSFET |
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NCE20N60F
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
Super Junction MOSFET 超级结MOSFET |
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NCE20N65
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
Super Junction MOSFET 超级结MOSFET |
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NCE20N65F
中文翻译 品牌: NCEPOWER |
Super Junction MOSFET 超级结MOSFET |
NCEPOWER是什么品牌:无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资本为21,300万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人,其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。