型号起始：	NE5510* (20) NE55100* (4) NE55101* (5) NE55102* (6) NE55103* (1) NE55105* (1) NE55107* (2) NE5510K* (1)
所属品牌：	不限 VISHAY(9) NEC(6) CEL(4) RENESAS(1)
功能分类：	不限电阻器(3) 放大器(9) 射频(5) 晶体(7) 射频场效应晶体管(4) GSM(4) 晶体管(3)

NE5510 - 型号起始 - 射频场效应晶体管; 总记录数：6

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		NE5510179A 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器	放大器射频
		NE5510179A-T1 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器	晶体放大器射频场效应晶体管
		NE5510179A-T1-A 中文翻译品牌: NEC	暂无描述	晶体放大器射频场效应晶体管
		NE5510279A 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器	晶体放大器射频场效应晶体管 GSM
		NE5510279A-T1 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器	晶体放大器射频场效应晶体管 GSM
		NE5510279A-T1-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN

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