| 型号等于： | NE5511279A-T1 (2) |
| 型号起始： | NE5511279A-T* (6) NE5511279A-T1* (6) |
| 所属品牌： | 不限 CEL(4) NEC(2) |
| 功能分类： | 不限 放大器(5) 晶体管(3) 晶体(3) 射频场效应晶体管(2) 射频(2) ISM频段(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NE5511279A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5511279A-T1-A
中文翻译 品牌: CEL |
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
射频 | ||
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NE5511279A-T1A
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5511279A-T1A-A
中文翻译 品牌: CEL |
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 晶体管 射频 ISM频段 放大器 |
Total:41
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