| 型号等于： | NE5520279A-T1 (1) |
| 型号起始： | NE5520279A-T* (3) NE5520279A-T1* (3) |
| 所属品牌： | 不限 NEC(2) CEL(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(2) 射频场效应晶体管(1) 放大器(2) 晶体管(1) ISM频段(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NE5520279A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET NECS 3.2 V， 2 W ， L＆ S波段中功率硅LD- MOSFET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5520279A-T1A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, 79A, 4 PIN |
Total:21
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