品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NTE-DRAM
中文翻译 品牌: NTE |
MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS 微处理器和存储器电路 |
存储 微处理器 | |||
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NTE2102
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns 集成电路的NMOS , 1K中的静态RAM(SRAM) , 350ns |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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NTE2104
中文翻译 品牌: NTE |
MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS 微处理器和存储器电路 |
存储 内存集成电路 微处理器 | |||
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NTE2107
中文翻译 品牌: NTE |
MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS 微处理器和存储器电路 |
存储 微处理器 动态存储器 | |||
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NTE21128
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit NMOS, 128K (16K x 8) UV EPROM 集成电路NMOS , 128K ( 16K ×8 ) UV EPROM |
存储 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | ||
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NTE2114
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit MOS, Static 4K RAM, 300ns 集成电路MOS ,静态4K的RAM , 300ns的 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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NTE2117
中文翻译 品牌: NTE |
MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS 微处理器和存储器电路 |
存储 内存集成电路 微处理器 光电二极管 动态存储器 | ||
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NTE21256
中文翻译 品牌: NTE |
262,144-Bit Dynamic Random Access Memory (DRAM) 262144位动态随机存取存储器( DRAM)的 |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | ||
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NTE2128
中文翻译 品牌: NTE |
MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS 微处理器和存储器电路 |
存储 微处理器 静态存储器 | |||
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NTE2147
中文翻译 品牌: NTE |
MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS 微处理器和存储器电路 |
存储 内存集成电路 微处理器 静态存储器 光电二极管 | |||
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NTE2164
中文翻译 品牌: NTE |
MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS 微处理器和存储器电路 |
存储 微处理器 | |||
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NTE2532
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit NMOS, 32K EPROM, 300ns 集成电路NMOS , 32K EPROM , 300ns的 |
存储 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | ||
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NTE2708
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit NMOS, 8K UV EPROM, 450ns 集成电路NMOS , 8K EPROM紫外线, 450ns |
存储 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | ||
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NTE2716
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit NMOS, 16K UV Erasable PROM 集成电路NMOS , 16K紫外线可擦除PROM |
存储 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | ||
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NTE2732A
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit 32K (4K x 8) NMOS UV Erasable PROM 集成电路32K ( 4K ×8 ) NMOS紫外线可擦除PROM |
存储 内存集成电路 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | ||
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NTE2764
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit NMOS, 64K Erasable EPROM, 200ns 集成电路NMOS , 64K可擦除EPROM , 200ns的 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | ||
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NTE27C1001-10D
中文翻译 品牌: NTE |
UVPROM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 | 可编程只读存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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NTE27C1001-12D
中文翻译 品牌: NTE |
UVPROM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 | 可编程只读存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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NTE27C1001-15D
中文翻译 品牌: NTE |
UVPROM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 | 可编程只读存储器 光电二极管 | |||
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NTE27C256-12D
中文翻译 品牌: NTE |
UVPROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | 可编程只读存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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NTE27C256-15D
中文翻译 品牌: NTE |
UVPROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | 可编程只读存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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NTE27C512-12D
中文翻译 品牌: NTE |
UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | 可编程只读存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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NTE4164
中文翻译 品牌: NTE |
MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS 微处理器和存储器电路 |
存储 微处理器 | |||
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NTE6508
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit CMOS, 1K Static RAM (SRAM) 集成电路的CMOS, 1K静态RAM ( SRAM)的 |
静态存储器 | |||
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NTE65101
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit 256 x 4-Bit Static Random Access Memory (SRAM) 集成电路256 ×4位的静态随机存取存储器( SRAM)的 |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
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NTE6664
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit 64K-Bit Dynamic RAM 集成电路64K位动态随机存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 | ||
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NTE6810
中文翻译 品牌: NTE |
Integrated Circuit 128 x 8-Bit Static Random Access Memory (SRAM) 集成电路128× 8位的静态随机存取存储器( SRAM)的 |
存储 静态存储器 |
Total:271
总27条记录,每页显示30条记录分1页显示。
NTE是什么品牌:NTE电子公司于1979年在新泽西州成立,现已从一家拥有10种半导体的小镇供应商发展成为业内最大的售后半导体供应商。
今天,我们的产品线由超过 23,000 台设备组成。包括NTE品牌半导体。