型号等于：	160FB (1) 160FT (1) 28F800C3 (1) 32WQ (1) 400FB (1) 400FT (1) 64WQ (1) 800FB (1) 800FT (1) M25P05-A (1) M25P10-A (1) M25P10A (1) M25P128 (1) M25P16 (1) M25P20 (1) M25P32 (1) M25P40 (1) M25P64 (1) M25P80 (1) M25PE10 (1) M25PE16 (1) M25PE20 (1) M25PE40 (1) M25PE80 (1) M25PX32 (1) M25PX64 (1)
型号起始：	160FB* (1) 160FT* (1) 251407-1* (1) 28F128L1* (1) 28F128L3* (1) 28F128W3* (1) 28F256L1* (1) 28F256L3* (1) 28F320W3* (1) 28F640W3* (1) 28F800C3* (1) 290701-1* (1) 290702-1* (1) 306666-1* (1) 308551-0* (1) 311760-1* (1) 313272-0* (1) 313295-0* (1) 32WQ* (1) 400FB* (1) 400FT* (1) 64WQ* (1) 800FB* (1) 800FT* (1) AB28F400* (2) AB28F800* (1) BG28F160* (4) DA28F016* (1) DE28F800* (4) E28F004B* (1) E28F004S* (4)
所属品牌：	不限 NUMONYX(8353)
功能分类：	不限闪存(4557) 存储(1529) 内存集成电路(4090) 无线(606) 光电二极管(2685) 蜂窝(315) 可编程只读存储器(696) 动态存储器(394) 静态存储器(304) 时钟(531) ISM频段(129) 电动程控只读存储器(193) 电可擦编程只读存储器(193) PC(11)

NUMONYX - 型号起始 - 静态存储器; 总记录数：304

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		311760-10 中文翻译品牌: NUMONYX	128-Mbit W18 Family with Synchronous PSRAM 128 - Mbit的W18系列与同步PSRAM	静态存储器
		M36DR432A120ZA6 中文翻译品牌: NUMONYX	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66	静态存储器内存集成电路
		M36DR432B100ZA6 中文翻译品牌: NUMONYX	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66	静态存储器内存集成电路
		M36DR432B120ZA6 中文翻译品牌: NUMONYX	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66	静态存储器内存集成电路
		M36L0R7050T0ZAQE 中文翻译品牌: NUMONYX	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88	静态存储器内存集成电路
		M36L0R7050T0ZAQT 中文翻译品牌: NUMONYX	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88	静态存储器内存集成电路
		M36L0R7060B1 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multilevel, Burst) Flash memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package 128兆位（多银行，多层次，连拍），闪存和64兆位（突发）的P	闪存静态存储器
		M36L0R7060B1ZAQE 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multilevel, Burst) Flash memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package 128兆位（多银行，多层次，连拍），闪存和64兆位（突发）的P	闪存存储内存集成电路静态存储器
		M36L0R7060B1ZAQF 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multilevel, Burst) Flash memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package 128兆位（多银行，多层次，连拍），闪存和64兆位（突发）的P	闪存存储内存集成电路静态存储器
		M36L0R7060T1 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multilevel, Burst) Flash memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package 128兆位（多银行，多层次，连拍），闪存和64兆位（突发）的P	闪存静态存储器
		M36L0R7060T1ZAQE 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multilevel, Burst) Flash memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package 128兆位（多银行，多层次，连拍），闪存和64兆位（突发）的P	闪存存储内存集成电路静态存储器
		M36L0R7060T1ZAQF 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multilevel, Burst) Flash memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package 128兆位（多银行，多层次，连拍），闪存和64兆位（突发）的P	闪存内存集成电路静态存储器
		M36L0T7050B0ZAQ 中文翻译品牌: NUMONYX	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88	静态存储器内存集成电路
		M36L0T7050B0ZAQT 中文翻译品牌: NUMONYX	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88	静态存储器内存集成电路
		M36L0T7050B2 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package 128兆位（多银行，多层次，突发）闪存和32兆（2MB ×16） PSRAM ，多	闪存静态存储器
		M36L0T7050B2ZAQ 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package 128兆位（多银行，多层次，突发）闪存和32兆（2MB ×16） PSRAM ，多	闪存内存集成电路静态存储器
		M36L0T7050B2ZAQE 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package 128兆位（多银行，多层次，突发）闪存和32兆（2MB ×16） PSRAM ，多	闪存存储内存集成电路静态存储器
		M36L0T7050B2ZAQF 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package 128兆位（多银行，多层次，突发）闪存和32兆（2MB ×16） PSRAM ，多	闪存存储内存集成电路静态存储器
		M36L0T7050B2ZAQT 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package 128兆位（多银行，多层次，突发）闪存和32兆（2MB ×16） PSRAM ，多	闪存内存集成电路静态存储器
		M36L0T7050T0ZAQ 中文翻译品牌: NUMONYX	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88	静态存储器内存集成电路
		M36L0T7050T0ZAQF 中文翻译品牌: NUMONYX	Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88	静态存储器内存集成电路
		M36L0T7050T2 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package 128兆位（多银行，多层次，突发）闪存和32兆（2MB ×16） PSRAM ，多	闪存静态存储器
		M36L0T7050T2ZAQ 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package 128兆位（多银行，多层次，突发）闪存和32兆（2MB ×16） PSRAM ，多	闪存存储内存集成电路静态存储器
		M36L0T7050T2ZAQE 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package 128兆位（多银行，多层次，突发）闪存和32兆（2MB ×16） PSRAM ，多	闪存存储内存集成电路静态存储器
		M36L0T7050T2ZAQF 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package 128兆位（多银行，多层次，突发）闪存和32兆（2MB ×16） PSRAM ，多	闪存存储内存集成电路静态存储器
		M36L0T7050T2ZAQT 中文翻译品牌: NUMONYX	128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package 128兆位（多银行，多层次，突发）闪存和32兆（2MB ×16） PSRAM ，多	闪存存储内存集成电路静态存储器
		M36LLR8760B1ZAQE 中文翻译品牌: NUMONYX	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-88	静态存储器内存集成电路
		M36LLR8760B1ZAQF 中文翻译品牌: NUMONYX	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-88	静态存储器内存集成电路
		M36LLR8760B1ZAQT 中文翻译品牌: NUMONYX	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-88	静态存储器内存集成电路
		M36LLR8760D1ZAQ 中文翻译品牌: NUMONYX	Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-88	静态存储器内存集成电路

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NUMONYX是什么品牌：藉由收购 Numonyx 增添了Micron创新产品组合的广度，并强化了我们的能力以满足您对存储器的需求。事实上，我们相信两家专业存储器公司的结合与精进，并汇集了数十年的工程创新技术会提供您更多的选择和弹性。当然，为实现这次收购的效益，需要对团队，营运和支持网络进行全面整合 —这个过程需要一段时间才能完成。虽然我们已经启动整合规划，但是仍还有许多任务待执行。我们将尽力使整个过程无缝实现。作为一家联合公司，我们对客户，产品和市场的承诺不会改变，对客户未来产品的需求的支持也一如既往。