品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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3339-00
中文翻译 品牌: PSEMI |
3.0 GHz Integer-N PLL for Low Phase Noise Applications 3.0 GHz的整数N分频PLL的低相位噪声应用 |
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3339-11
中文翻译 品牌: PSEMI |
3.0 GHz Integer-N PLL for Low Phase Noise Applications 3.0 GHz的整数N分频PLL的低相位噪声应用 |
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3339-12
中文翻译 品牌: PSEMI |
3.0 GHz Integer-N PLL for Low Phase Noise Applications 3.0 GHz的整数N分频PLL的低相位噪声应用 |
光电二极管 | |||
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3340-00
中文翻译 品牌: PSEMI |
3.0 GHz Integer-N PLL for Low Phase Noise Applications 3.0 GHz的整数N分频PLL的低相位噪声应用 |
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3340-11
中文翻译 品牌: PSEMI |
3.0 GHz Integer-N PLL for Low Phase Noise Applications 3.0 GHz的整数N分频PLL的低相位噪声应用 |
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3340-12
中文翻译 品牌: PSEMI |
3.0 GHz Integer-N PLL for Low Phase Noise Applications 3.0 GHz的整数N分频PLL的低相位噪声应用 |
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3342-00
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-01
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-02
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-03
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-04
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-05
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-06
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-07
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-31
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-32
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-33
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-34
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-53
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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3342-54
中文翻译 品牌: PSEMI |
2.7 GHz Integer-N PLL with Field-Programmable EEPROM Features 2.7 GHz的整数N分频PLL与现场可编程EEPROM功能 |
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | ||
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3501-00
中文翻译 品牌: PSEMI |
3500 MHz Low Power UltraCMOS? Divide-by-2 Prescaler 3500兆赫低功率的UltraCMOS ?分频预分频器 |
预分频器 | |||
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3501-11
中文翻译 品牌: PSEMI |
3500 MHz Low Power UltraCMOS? Divide-by-2 Prescaler 3500兆赫低功率的UltraCMOS ?分频预分频器 |
预分频器 | |||
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3501-12
中文翻译 品牌: PSEMI |
3500 MHz Low Power UltraCMOS? Divide-by-2 Prescaler 3500兆赫低功率的UltraCMOS ?分频预分频器 |
预分频器 | |||
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3502
中文翻译 品牌: PSEMI |
3500 MHz Low Power UltraCMOS? Divide-by-4 Prescaler 3500兆赫低功率UltraCMOS⑩除以4分频器 |
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3502-00
中文翻译 品牌: PSEMI |
3500 MHz Low Power UltraCMOS⑩ Divide-by-4 Prescaler 3500兆赫低功率UltraCMOS⑩除以4分频器 |
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3502-21
中文翻译 品牌: PSEMI |
3500 MHz Low Power UltraCMOS⑩ Divide-by-4 Prescaler 3500兆赫低功率UltraCMOS⑩除以4分频器 |
逻辑集成电路 光电二极管 时钟 | |||
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3502-22
中文翻译 品牌: PSEMI |
3500 MHz Low Power UltraCMOS⑩ Divide-by-4 Prescaler 3500兆赫低功率UltraCMOS⑩除以4分频器 |
逻辑集成电路 光电二极管 时钟 | |||
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3502-51
中文翻译 品牌: PSEMI |
3500 MHz Low Power UltraCMOS⑩ Divide-by-4 Prescaler 3500兆赫低功率UltraCMOS⑩除以4分频器 |
逻辑集成电路 光电二极管 时钟 | |||
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3502-52
中文翻译 品牌: PSEMI |
3500 MHz Low Power UltraCMOS⑩ Divide-by-4 Prescaler 3500兆赫低功率UltraCMOS⑩除以4分频器 |
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3503
中文翻译 品牌: PSEMI |
3500 MHz Low Power UltraCMOS? Divide-by-8 Prescaler 3500兆赫低功率的UltraCMOS ?分频分频器8 |
PSEMI是什么品牌:pSemi建立在Peregrine半导体在技术进步和一流知识产权(IP)产品组合方面30年的传统,同时增加了一项新的使命 - 通过高性能半导体提高村田的世界级功能。我们很自豪能够成为超过70,000名正在塑造电子未来的村田员工的一员。