| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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HAF1001
中文翻译 品牌: HITACHI |
Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching / Over Temperature Shut-down Capability 硅P沟道MOS FET系列电源开关/过温关断功能 |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 电源开关 局域网 | |||
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IXFA102N15T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFH102N15T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFH110N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFH150N20T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 局域网 栅 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IXFH160N15T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFH230N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFH86N30T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFK140N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFK170N20T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFK230N20T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFK360N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFK420N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFN140N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFN160N30T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFN180N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFN230N20T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFN360N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 局域网 栅 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IXFN420N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFT150N20T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFT86N30T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFX120N30T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFX140N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFX160N30T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFX180N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 局域网 栅 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IXFX230N20T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFX360N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFZ140N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXTA130N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXTA160N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 |