| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BCR431U
中文翻译 品牌: INFINEON |
英飞凌的 BCR431U 是低压差线性 LED 驱动器 IC，它采用了小体积 的SOT23-6 封装，并且可以在不连接外部功率晶体管的情况下，独立完成LED 恒定电流的调节和控制。该产品适用于驱动高达 37mA 的LED应用，同时该IC 的可工作电压范围为 6V 到 42V。LED 驱动电流的大小可 | 驱动 晶体管 驱动器 | |||
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CTS恒温控制式晶振CTS 114
中文翻译 品牌: CTS |
恒温控制式晶体振荡器（OCXO）114的特点： 频率：10/12.8/16.384/20 MHz 输出类型：HCMOS 温度范围： -40~+85℃ 供电电压：3.3，5.5V 稳定性：±280ppb CTS公司为客户提供基于工程领域的电子元器件和模块以及其它相关产品，致力于用CTS | 振荡器 晶体振荡器 谐振器 陶瓷滤波器 光纤 石英晶振 恒温晶体振荡器 射频 电子 | |||
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FMMTA44
中文翻译 品牌: FCI |
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR Junction Temperature Tj 150 NPN外延型晶体管结温Tj 150 |
晶体 晶体管 | |||
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HAF1001
中文翻译 品牌: HITACHI |
Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching / Over Temperature Shut-down Capability 硅P沟道MOS FET系列电源开关/过温关断功能 |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 电源开关 局域网 | |||
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HT45R04
中文翻译 品牌: HOLTEK |
适用于安防系列(烟感器、温感器、家用一 氧化碳测试器)等产品的 IC：HT45R04E。 工作电压：2.2V～5.5V ；工作频率：400Kz---2MHz（当fsys=455kHz时，VDD=+5V时 IDD＜200uA) 1. 最多可有13 个双向输入/输出口 , 18-pin SOP | 晶体 转换器 预分频器 计数器 存储 测试 通信 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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HT45R04E
中文翻译 品牌: HOLTEK |
适用于安防系列(烟感器、温感器、家用一 氧化碳测试器)等产品的 IC：HT45R04E。 工作电压：2.2V～5.5V ；工作频率：400Kz---2MHz（当fsys=455kHz时，VDD=+5V时 IDD＜200uA) 1. 最多可有13 个双向输入/输出口 , 18-pin SOP | 晶体 转换器 预分频器 计数器 存储 测试 通信 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 | |||
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IXFA102N15T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFH102N15T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFH110N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFH120N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 局域网 栅 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IXFH150N20T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 局域网 栅 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IXFH160N15T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFH230N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFH86N30T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFK140N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFK170N20T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFK230N20T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFK360N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFK420N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFN140N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFN160N30T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFN180N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFN230N20T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFN360N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 局域网 栅 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IXFN420N10T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFT150N20T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFT86N30T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFX120N30T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFX140N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXFX160N30T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 |