品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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PT2300
中文翻译 品牌: HTSEMI |
封装形式 : SOT23; 工艺 : 沟槽型; 沟道类型 : 单N; 防静电ESD : 否; 漏源耐压 Vds(V) : 20.000; 栅源耐压 Vgs(V) : ±12; 阈值电压 Vth(V | 栅 | |||
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PT2301A
中文翻译 品牌: HTSEMI |
封装形式 : SOT23-3L; 工艺 : 沟槽型; 沟道类型 : 单P; 防静电ESD : 否; 漏源耐压 Vds(V) : -20.000; 栅源耐压 Vgs(V) : ±12; 阈值电压 V | 栅 | |||
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PT2301B
中文翻译 品牌: HTSEMI |
封装形式 : SOT23; 工艺 : 沟槽型; 沟道类型 : 单P; 防静电ESD : 否; 漏源耐压 Vds(V) : -20.000; 栅源耐压 Vgs(V) : ±10; 阈值电压 Vth( | 栅 | |||
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PT2302B
中文翻译 品牌: HTSEMI |
封装形式 : SOT23; 工艺 : 沟槽型; 沟道类型 : 单N; 防静电ESD : 否; 漏源耐压 Vds(V) : 20.000; 栅源耐压 Vgs(V) : ±12; 阈值电压 Vth(V | 栅 | |||
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PT2302D
中文翻译 品牌: HTSEMI |
封装形式 : SOT23; 工艺 : 沟槽型; 沟道类型 : 单N; 防静电ESD : 否; 漏源耐压 Vds(V) : 20.000; 栅源耐压 Vgs(V) : ±10; 阈值电压 Vth(V | 栅 | |||
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PT2305
中文翻译 品牌: HTSEMI |
封装形式 : SOT23; 工艺 : 沟槽型; 沟道类型 : 单P; 防静电ESD : 否; 漏源耐压 Vds(V) : -20.000; 栅源耐压 Vgs(V) : ±12; 阈值电压 Vth( | 栅 | |||
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PT2308
中文翻译 品牌: HTSEMI |
封装形式 : SOT23; 工艺 : 沟槽型; 沟道类型 : 单N; 防静电ESD : 否; 漏源耐压 Vds(V) : 60.000; 栅源耐压 Vgs(V) : ±20; 阈值电压 Vth(V | 栅 |
Total:71
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