QT1 IG - 型号起始 - 双倍数据速率; 总记录数：22

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		CAT34C02HU3IG4 中文翻译品牌: ONSEMI	2 kb I2C EEPROM for DDR2 DIMM Serial Presence Detect 2 kb的I2C EEPROM的DDR2 DIMM串行存在检测	双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		CAT34C02HU3IG5 中文翻译品牌: ONSEMI	2 kb I2C EEPROM for DDR2 DIMM Serial Presence Detect 2 kb的I2C EEPROM的DDR2 DIMM串行存在检测	双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		CAT34C02HU4IG4 中文翻译品牌: ONSEMI	2 kb I2C EEPROM for DDR2 DIMM Serial Presence Detect 2 kb的I2C EEPROM的DDR2 DIMM串行存在检测	双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		CAT34C02HU4IG5 中文翻译品牌: ONSEMI	2 kb I2C EEPROM for DDR2 DIMM Serial Presence Detect 2 kb的I2C EEPROM的DDR2 DIMM串行存在检测	双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		CAT34C02VP2IG4 中文翻译品牌: ONSEMI	2 kb I2C EEPROM for DDR2 DIMM Serial Presence Detect 2 kb的I2C EEPROM的DDR2 DIMM串行存在检测	双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		CAT34C02VP2IG5 中文翻译品牌: ONSEMI	2 kb I2C EEPROM for DDR2 DIMM Serial Presence Detect 2 kb的I2C EEPROM的DDR2 DIMM串行存在检测	双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		W3EG6432S265D4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG6432S335D4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S202AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S202BD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	存储动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S262AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S262BD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S265AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S265BD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		W3EG7266S335AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S335BD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S403AD4IG 中文翻译品牌: WEDC	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200	动态存储器双倍数据速率
		W3EG7266S403BD4IG 中文翻译品牌: WEDC	暂无描述	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
		W3HG2128M72EEU534PD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.5ns, CMOS, PDMA200,	时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3HG2128M72EEU665PD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, PDMA200,	时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		W3HG2128M72EEU806PD4IG 中文翻译品牌: MICROSEMI	DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, PDMA200,	动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
		X24C01AS8IG 中文翻译品牌: ICMIC	Serial E2PROM 串行E2PROM	内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟

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