品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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ATS616LSG_10
中文翻译 品牌: ALLEGRO |
The ATS616 gear-tooth sensor IC is a peak-detecting device that uses automatic gain control and an integrated capacitor to provide extremely accurate | 传感器 电容器 装置 | |||
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BGC100GN6
中文翻译 品牌: INFINEON |
BGC100GN6 双向耦合器 IC 专为 2G / 3G / 4G RF 前端应用而设计。该装置包含一个双向耦合器,工作在 0.6 Ghz 到 2.7 Ghz 频率范围内的一个或多个频段。耦合输出包含一个用于抑制 5 GHz ISM 阻塞器的低通滤波器。该耦合器具有低插入损耗和高方向性。该耦合器通 | ISM频段 射频 电容器 装置 | |||
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MSP430FR2676TPT
中文翻译 品牌: TI |
具有 16 个触摸 IO(64 个传感器)、64KB FRAM、8KB SRAM、43 个 IO、12 位 ADC、105C 的电容式触控 MCU | PT | 48 | -40 to 105 | 时钟 静态存储器 外围集成电路 装置 传感器 | |||
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MSP430FR2676TPTR
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
具有 16 个触摸 IO(64 个传感器)、64KB FRAM、8KB SRAM、43 个 IO、12 位 ADC、105C 的电容式触控 MCU | PT | 48 | -40 to 105 | 时钟 静态存储器 外围集成电路 装置 传感器 | |||
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MSP430FR2676TRHAR
中文翻译 品牌: TI |
具有 16 个触摸 IO(64 个传感器)、64KB FRAM、8KB SRAM、43 个 IO、12 位 ADC、105C 的电容式触控 MCU | RHA | 40 | -40 to 105 | 时钟 静态存储器 外围集成电路 装置 传感器 | |||
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MSP430FR2676TRHAT
中文翻译 品牌: TI |
具有 16 个触摸 IO(64 个传感器)、64KB FRAM、8KB SRAM、43 个 IO、12 位 ADC、105C 的电容式触控 MCU | RHA | 40 | -40 to 105 | 时钟 静态存储器 外围集成电路 装置 传感器 | |||
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MSP430FR2676TRHBR
中文翻译 品牌: TI |
具有 16 个触摸 IO(64 个传感器)、64KB FRAM、8KB SRAM、43 个 IO、12 位 ADC、105C 的电容式触控 MCU | RHB | 32 | -40 to 105 | 时钟 静态存储器 外围集成电路 装置 传感器 | |||
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MSP430FR2676TRHBT
中文翻译 品牌: TI |
具有 16 个触摸 IO(64 个传感器)、64KB FRAM、8KB SRAM、43 个 IO、12 位 ADC、105C 的电容式触控 MCU | RHB | 32 | -40 to 105 | 时钟 静态存储器 外围集成电路 装置 传感器 | |||
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NP0080TAT1G
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Low Capacitance Protector 低电容保护器 |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP0640SBMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
80A, Ultra Low Capacitance TSPD 80A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP0640SCMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
100A, Ultra Low Capacitance TSPD 100A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP0720SCMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
100A, Ultra Low Capacitance TSPD 100A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP0900SAMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
50A, Ultra Low Capacitance TSPD 50A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP0900SBMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
80A, Ultra Low Capacitance TSPD 80A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP0900SCMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
100A, Ultra Low Capacitance TSPD 100A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP1100SBMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
80A, Ultra Low Capacitance TSPD 80A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP1100SCMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
100A, Ultra Low Capacitance TSPD 100A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP1300SBMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
80A, Ultra Low Capacitance TSPD 80A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP1300SCMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
100A, Ultra Low Capacitance TSPD 100A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP1500SAMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
50A, Ultra Low Capacitance TSPD 50A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP1500SBMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
80A, Ultra Low Capacitance TSPD 80A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP1500SCMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
100A, Ultra Low Capacitance TSPD 100A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP1800SBMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
80A, Ultra Low Capacitance TSPD 80A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP2600SCMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
100A, Ultra Low Capacitance TSPD 100A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP3100SAMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
50A, Ultra Low Capacitance TSPD 50A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP3100SBMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
80A, Ultra Low Capacitance TSPD 80A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP3100SCMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
100A, Ultra Low Capacitance TSPD 100A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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NP3500SCMCT3G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
100A, Ultra Low Capacitance TSPD 100A ,超低电容TSPD |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 | ||
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P0080ECMC
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
TO-92 MC SIDACtor系列适用于对负载值敏感的应用环境。 通常,高速连接需要较低的电容值。 MC器件的电容值比标准EC产品低40%。 该MC SIDACtor系列可使设备在不使用串联 | 双向触发二极管 硅浪涌保护器 触发装置 | |||
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P0080SBLRP
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
Low voltage overshoot, Low on-state voltage, Low capacitance 低电压过冲,低通态电压,低电容 |
触发装置 硅浪涌保护器 光电二极管 |