型号等于：	02N17 (1) 02N17-B (1) 02N18 (1) 02N19 (1) 02N5817 (1) 02N5818 (1) 02N5819 (1) 02S20 (1) 02S20-B (1) 02S20-E (1) 02S20-F (1) 02S20-I (1) 02S20-J (1) 02S20_12 (1) 02S30 (1) 02S40 (1) 02SSL20 (1) 02SSL20L (1) 02SSL30 (1) 02SSL30L (1) 02SSL40 (1) 02SSL40L (1) 05A1 (1) 05A1-W (1) 05A1L (1) 05A2 (1) 05A2-W (1) 05A2L (1) 05A3 (1) 05A3-W (1) 05A3L (1)
型号起始：	02N17* (1) 02N17-B* (1) 02N17-HF* (3) 02N18* (1) 02N19* (1) 02N5817* (1) 02N5817-* (4) 02N5818* (1) 02N5818-* (4) 02N5819* (1) 02N5819-* (2) 02S20* (1) 02S20-B* (1) 02S20-E* (1) 02S20-F* (1) 02S20-I* (1) 02S20-J* (1) 02S20_12* (1) 02S30* (1) 02S40* (1) 02SSL20* (1) 02SSL20-* (2) 02SSL20L* (1) 02SSL30* (1) 02SSL30-* (2) 02SSL30L* (1) 02SSL40* (1) 02SSL40-* (1) 02SSL40L* (1) 05A1* (1) 05A1-W* (1)
所属品牌：	不限 RECTRON(30415)
功能分类：	不限二极管(8512) 局域网(5081) 测试(2565) 瞬态抑制器(995) 光电二极管(3908) 快速恢复二极管(1245) 栅(549) 整流二极管(2335) 超快速恢复二极管(551) 稳压二极管(972) 齐纳二极管(1297) 功效(919) 桥式整流二极管(350) 晶体(349) 晶体管(226) 电视(92) 瞄准线(448) 小信号双极晶体管(116) 数字晶体管(51) IOT(60) 信号二极管(47) 高压(80) 触发装置(25) 双向触发二极管(36) 开关(117) 软恢复二极管(20) 功率双极晶体管(40) PC(75) 放大器(26) 肖特基二极管(38) 闪光灯(17) 快速软恢复二极管(6) 高压快速恢复二极管(9) 超快恢复二极管(5) 可编程只读存储器(7) 小信号肖特基二极管(3) 视频放大器(3) 数据判读及分析中心(5) 双极性晶体管(2) 压敏电阻(1) 射频(2) 微波(2) 无线(1) 达林顿晶体管(1) 电阻器(1)

RECTRON - 型号起始 - 栅; 总记录数：555

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2N7002 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 1.7 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs(	栅
		2N7002K 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 1.7 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs(	栅
		2N7002KB 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.34 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Polarity : N-Channel;Mounting Style :	栅
		2N7002KBS3 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.2 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 0.3 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.2 W;Vgs(th) (typ) : 1.5 V;Input Capacitance	栅
		2N7002KBV 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.34 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 30 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Polarity : N-Channel;Mounting Style :	栅
		2N7002KS6 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.25 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1500 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 80 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs(	栅
		2N7002KV 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ	栅
		2N7002V 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ	栅
		BSS127 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 0.021 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 310000 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 0.07 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.5 W	栅
		RG100N650T7 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 100 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 280 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 428 W;Vgs(th) (typ) : 1.7 V;Input Capacitanc	栅
		RI15N1200T7 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 1200 V;Id @ 25C (A) : 15 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 130 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 150 W;Input Capacitance (Ciss) : 1330 pF;Pol	栅
		RI15N1200TP 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 1200 V;Id @ 25C (A) : 15 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 130 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 150 W;Input Capacitance (Ciss) : 1330 pF;Pol	栅
		RI20N1200TT 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 1200 V;Id @ 25C (A) : 20 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 345 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 395 W;Polarity : N-Channel;Mounting Style :	栅
		RI25N1200T7 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 1200 V;Id @ 25C (A) : 25 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 177 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 350 W;Input Capacitance (Ciss) : 1600 pF;Pol	栅
		RI25N1200TP 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 1200 V;Id @ 25C (A) : 25 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 177 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 350 W;Input Capacitance (Ciss) : 1600 pF;Pol	栅
		RI40N1200T7 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 1200 V;Id @ 25C (A) : 65 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 120 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 430 W;Vgs(th) (typ) : 6.0 V;Input Capacitanc	栅双极性晶体管
		RI75N650T7 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 115 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 330 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 420 W;Vgs(th) (typ) : 5.8 V;Input Capacitanc	栅双极性晶体管
		RM003N600ES2 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 0.03 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 280000 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 1.0 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.3 W;I	栅
		RM0103 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 3.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 136 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 20 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 1.5 W;Vgs(th	栅
		RM02P60S2 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 170 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3300 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 2.5 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.225 W;Vgs	栅
		RM03P30D1E 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1700 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 0.55 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs	栅
		RM03P30S2E 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 0.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1700 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 0.55 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs	栅
		RM04N30S2 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 3.6 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 58 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 4.0 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 1.7 W;Vgs(th)	栅
		RM052N100DF 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 70 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 4.6 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 58.2 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 142 W;Vgs(t	栅
		RM05N30ED1 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 0.5 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 515 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 1.6 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs(t	栅
		RM08P100S2 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 0.8 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1000 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 7.8 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 1.38 W;Inp	栅
		RM1002 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 2.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 112 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ	栅
		RM100N30DF 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 100.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.6 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 68 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 55 W;Vgs(th	栅
		RM100N40DF 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 100.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 90 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 65 W;Vgs(th	栅
		RM100N40DFV 中文翻译品牌: RECTRON	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 100.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ	栅

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总300+条记录，每页显示30条记录分10页显示。

RECTRON是什么品牌：Rectron有限公司由经验丰富的半导体工程师团队于1976年1月在台北土城成立。由当地融资，Rectron 很快成为公认的优质离散半导体供应商。1981 年，Rectron 通过独家分销商和代理商网络直接进入全球半导体市场，增加了销售收入。 Rectron 于 1985 年 1 月获得首次公开发行普通股的批准，并在美国洛杉矶开设了全资子公司：伦敦，英国;和香港。1994年初，Rectron在中国委托一家工厂，以提高我们的竞争优势，提高离散产品制造能力。