型号等于：	2N3903 (1) 2N3905 (1) 2N4123 (1) 2N4124 (1) 2N4125 (1) 2N4126 (1) 2N5086 (1) 2N5089 (1) 2N5210 (1) 2N5400 (1) 2N5401 (1) 2N5550 (1) 2N6427 (1) 2N6428 (1) 2N6428A (1) 2N6516 (1) 2N6517 (1) 2N6518 (1) 2N6519 (1) 2N6520 (1) 2SC1730 (1) AL1213A (1) AL2007LA (1) 62256 (1)
型号起始：	16L102DA* (1) 16T202DA* (1) 20S207DA* (1) 20T202DA* (1) 256MBDDR* (1) 2N3903* (1) 2N3905* (1) 2N4123* (1) 2N4124* (1) 2N4125* (1) 2N4126* (1) 2N5086* (1) 2N5089* (1) 2N5210* (1) 2N5400* (1) 2N5401* (1) 2N5550* (1) 2N6427* (1) 2N6428* (1) 2N6428A* (1) 2N6516* (1) 2N6517* (1) 2N6518* (1) 2N6519* (1) 2N6520* (1) 2SC1730* (1) AL1213A* (1) AL2007LA* (1) AM27C020* (1) AT-FC-A-* (240) AT-FC-P-* (240)
所属品牌：	不限 SAMSUNG(84484)
功能分类：	不限电阻器(27508) 动态存储器(16466) 双倍数据速率(6540) 光电二极管(12958) 内存集成电路(18745) 静态存储器(8998) 时钟(7194) 电感器(1054) 闪存(1534) 电容器(840) 有原始数据的样本ROM(1008) 存储(2477) 衰减器(632) 射频(644) 微波(632) 微控制器(1012) 可编程只读存储器(968) 电动程控只读存储器(786) 电可擦编程只读存储器(786) 测试(211) 射频感应器(263) 光电(162) 放大器(620) 晶体管(1255) 局域网(621) 开关(621) 外围集成电路(497) 脉冲(238) 信息通信管理(165) 钽电容器(91) 驱动(244) 接口集成电路(161) 输入元件(130) 输出元件(233) CD(461) 商用集成电路(407) 晶体(524) 调节器(79) 旋律IC(51) 驱动器(104) 控制器(108) ISM频段(63) 小信号双极晶体管(168) 先进先出芯片(89) 电子(100) 消费电路(180) 接收器集成电路(39) 转换器(57) 陶瓷电容器(26) 逻辑集成电路(61) 功率放大器(103)

SAMSUNG - 型号起始 - 动态存储器; 总记录数：10000+

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		256MBDDRSDRAM 中文翻译品牌: SAMSUNG	DDR SDRAM Specification Version 0.3 DDR SDRAM规范版本0.3	动态存储器双倍数据速率
		DDRSDRAM 中文翻译品牌: SAMSUNG	DDR SDRAM Specification Version 0.61 DDR SDRAM规范版本0.61	动态存储器双倍数据速率
		DDRSDRAM1111 中文翻译品牌: SAMSUNG	DDR SDRAM Specification Version 1.0 DDR SDRAM规范版本1.0	动态存储器双倍数据速率
		DS_K4D263238D 中文翻译品牌: SAMSUNG	1M x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL 1M X 32位×4银行双数据速率同步DRAM与双向数据选通和DLL	动态存储器
		DS_K4S161622D 中文翻译品牌: SAMSUNG	1M x 16 SDRAM 1M ×16 SDRAM	动态存储器
		DS_K4S161622E 中文翻译品牌: SAMSUNG	1M x 16 SDRAM 1M ×16 SDRAM	动态存储器
		DS_M368L3223DTL 中文翻译品牌: SAMSUNG	256MB DDR SDRAM MODULE 256MB DDR SDRAM模块	动态存储器双倍数据速率
		DS_M390S2858CT1 中文翻译品牌: SAMSUNG	SDRAM DIMM SDRAM DIMM	动态存储器
		DS_S8S3122X16 中文翻译品牌: SAMSUNG	256K x 16 SDRAM 256K ×16 SDRAM	动态存储器
		FMB857B 中文翻译品牌: SAMSUNG	256Mb F-die DDR SDRAM Specification 256Mb的F-死DDR SDRAM规格	动态存储器双倍数据速率
		K1B3216B7D-BI700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1B3216B7D-BI70T 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1B3216B7D-FI700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1B3216B7D-FI70T 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1B5616B2A-W000 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1B5616B2M-K1700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1B5616B2M-K2700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1B5616B2M-K3700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1B5616B2M-W1700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1B5616B2M-W2700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1B5616B2M-W3700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1B5616BAM 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1C3216B8E-FI700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA54	动态存储器
		K1C6416B2E-FI70 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1C6416B2E-FI700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1C6416B2E-FI70T 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1C6416B8E-FI700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器
		K1S161611A-BI70 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48	动态存储器
		K1S161611A-FI70 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48	动态存储器
		K1S161611B-BI700 中文翻译品牌: SAMSUNG	DRAM	动态存储器

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SAMSUNG是什么品牌：数字时代为全球业务带来了革命性的机遇和革新。三星集团一直紧随这些变革，并不断地更新自己的业务结构、经营理念以及公司文化，以满足世界信息时代日益变化的需求。在三星，我们将每个挑战都视为是一次机会，并坚信在数字领域，我们完全可以成为世界公认的领导者之一。目前，三星领先全球市场的产品包括半导体产品、TFT-LCD、显示器和CDMA移动电话等。同时，我们也在积极地提升企业品牌价值，因为它是公司发展的核心动力。三星的品牌价值已经由2009年的175亿美元增长为2011年的234亿美元，并且被Interbrand公司评选为发展最快的国际品牌。展望未来，三星将力争成为引领席卷全球的数字革命的领导者。我们期望用我们先进的技术、富于竞争力的产品，以及专业的人力资源领导社会的数字化革命。