| 型号起始： | SEMIX151* (28) SEMIX151G* (28) |
| 所属品牌： | 不限 SEMIKRON(28) |
| 功能分类： | 不限 双极性晶体管(26) 晶体(7) 晶体管(9) 功率控制(9) 栅(7) 局域网(9) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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SEMIX151GAL12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX151GAL12T4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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SEMIX151GAL12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 231A I(C), 1200V V(BR)CES | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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SEMIX151GAR12T4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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SEMIX151GB12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX151GB12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
positive temperature coefficient 正温度系数 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SEMIX151GD126HDS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX151GD12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SEMIX151GD12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 231A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SEMIX 13, 20 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 |
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