| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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SPMQ613-01
中文翻译 品牌: SSDI |
600V, 200A FAST SWITCHING IGBT HALF BRIDGE 600V ， 200A快速开关IGBT半桥 |
晶体 开关 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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SPMQ613-01S
中文翻译 品牌: SSDI |
暂无描述 | 晶体 开关 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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SPMQ613-01TX
中文翻译 品牌: SSDI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-7 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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SPMQ613-01TXV
中文翻译 品牌: SSDI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-7 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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SPMQ613-02
中文翻译 品牌: SSDI |
600V, 400A FAST SWITCHING IGBT HALF BRIDGE 600V ， 400A快速开关IGBT半桥 |
晶体 开关 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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SPMQ613-02S
中文翻译 品牌: SSDI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-8 | 晶体 开关 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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SPMQ613-02TX
中文翻译 品牌: SSDI |
暂无描述 | 晶体 开关 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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SPMQ613-02TXV
中文翻译 品牌: SSDI |
暂无描述 | 晶体 开关 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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SSG42N60N
中文翻译 品牌: SSDI |
50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT 50安培600伏快速功率IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SSG42N60NUB
中文翻译 品牌: SSDI |
50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT 50安培600伏快速功率IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SSG42N60P
中文翻译 品牌: SSDI |
50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT 50安培600伏快速功率IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SSG42N60PDB
中文翻译 品牌: SSDI |
50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT 50安培600伏快速功率IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SSG42N60PUB
中文翻译 品牌: SSDI |
50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT 50安培600伏快速功率IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SSG42N60S2
中文翻译 品牌: SSDI |
50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT 50安培600伏快速功率IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
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SSG55N60M
中文翻译 品牌: SSDI |
55 AMP /600 Volts 1.65 V saturation ultrafast IGBT 55 AMP / 600伏特1.65 V饱和超快IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SSG55N60MS
中文翻译 品牌: SSDI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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SSG55N60MTX
中文翻译 品牌: SSDI |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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SSG55N60NS
中文翻译 品牌: SSDI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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SSG55N60P
中文翻译 品牌: SSDI |
55 AMP /600 Volts 1.65 V saturation ultrafast IGBT 55 AMP / 600伏特1.65 V饱和超快IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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SSG55N60PS
中文翻译 品牌: SSDI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-259, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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SSG55N60PTXV
中文翻译 品牌: SSDI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-259, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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SSG55N60ZS
中文翻译 品牌: SSDI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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SSG55N60ZTXV
中文翻译 品牌: SSDI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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SSG60N60NUB
中文翻译 品牌: SSDI |
85 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT 85 AMP 600伏快速功率IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 |
Total:241
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SSDI是什么品牌：自1967年以来为航空航天和国防工业服务自成立以来，SSDI 就坚定致力于为关键的航空航天和国防应用提供密封半导体器件和组件。这一追求促使 SSDI 不仅为广泛使用的标准产品提供最高质量的产品，而且不断开发旨在提高性能和解决现实世界问题的独特创新解决方案。