型号等于：	0204-125 (1) 1-5KE440A (1) 1-5KE440CA (1) 1-5KE6V8A (1) 1-5KE6V8CA (1) 1.5KE (1) 1.5KE100A (1) 1.5KE100A-RL (1) 1.5KE100A/CA (1) 1.5KE100CA (1) 1.5KE100CA-RL (1) 1.5KE100CARL (1) 1.5KE100CPRL (1) 1.5KE10A (1) 1.5KE10A-RL (1) 1.5KE10A/CA (1) 1.5KE10CA (1) 1.5KE10CA-RL (1) 1.5KE10CP (1) 1.5KE10CPRL (1) 1.5KE110ARL (1) 1.5KE110PRL (1) 1.5KE11CARL (1) 1.5KE11PRL (1) 1.5KE120A (1) 1.5KE120A-RL (1) 1.5KE120A/CA (1) 1.5KE120ARL (1) 1.5KE120CA (1) 1.5KE120CA-RL (1) 1.5KE120CP (1)
型号起始：	0204-125* (1) 1-5KE440A* (1) 1-5KE440CA* (1) 1-5KE6V8A* (1) 1-5KE6V8CA* (1) 1.5KE* (1) 1.5KE100A* (1) 1.5KE100A-RL* (1) 1.5KE100A/CA* (1) 1.5KE100CA* (1) 1.5KE100CA-RL* (1) 1.5KE100CARL* (1) 1.5KE100CPRL* (1) 1.5KE10A* (1) 1.5KE10A-RL* (1) 1.5KE10A/CA* (1) 1.5KE10CA* (1) 1.5KE10CA-RL* (1) 1.5KE10CP* (1) 1.5KE10CPRL* (1) 1.5KE110ARL* (1) 1.5KE110PRL* (1) 1.5KE11CARL* (1) 1.5KE11PRL* (1) 1.5KE120A* (1) 1.5KE120A-RL* (1) 1.5KE120A/CA* (1) 1.5KE120ARL* (1) 1.5KE120CA* (1) 1.5KE120CA-RL* (1) 1.5KE120CP* (1)
所属品牌：	不限 STMICROELECTRONICS(153760)
功能分类：	不限可编程只读存储器(37409) 电动程控只读存储器(33466) 电可擦编程只读存储器(24879) 闪存(20153) 存储(20768) 微控制器(9241) 内存集成电路(21432) 光电二极管(26680) 时钟(14166) 静态存储器(6814) 稳压器(2842) OTP只读存储器(3268) 运算放大器(2753) 并行 IO 端口(1119) 微控制器和处理器(3361) 外围集成电路(6409) 可控硅(2066) 三端双向交流开关(2432) CD(3039) 测试(1024) 二极管(3123) 振荡器(1046) 转换器(1909) 双倍数据速率(1881) 线性稳压器IC(1681) 调节器(2378) 电源电路(2867) 输出元件(4010) 控制器(1287) 局域网(4731) 栅(1951) 栅极(2869) 电视(1263) 放大器电路(1001) 晶体(2952) 晶体管(3292) 输入元件(1527) 计数器(730) 通信(931) 功率场效应晶体管(1193) 开关(3246) 脉冲(1549) 驱动器(1064) 装置(777) 双极性晶体管(745) 电机(837) ISM频段(565) 比较器(978) 触发器(1734) 监控(807) LPWA(313)

STMICROELECTRONICS - 型号起始 - 功率控制; 总记录数：112

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		HVLED101 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	先进高功率因素反激控制器，配备谷值锁定以及最大功率控制功能	反激控制控制器功率控制
		L5993 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	CONSTANT POWER CONTROLLER 恒功率控制器	功率控制控制器
		L5993D 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	CONSTANT POWER CONTROLLER 恒功率控制器	稳压器开关式稳压器或控制器电源电路开关式控制器功率控制光电二极管
		STG3P3M25K120 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	50A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, SEMITOP3, 20 PIN	局域网栅双极性晶体管功率控制
		STG3P3M25N120 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	50A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, SEMITOP3, 20 PIN	局域网栅双极性晶体管功率控制
		STG3P3M25N60 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	3 Phase inverter IGBT - SEMITOP㈢3 module 3相逆变器IGBT - SEMITOP㈢3模块	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
		STGB10HF60KDT4 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	20A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3	栅双极性晶体管功率控制
		STGB10NB60ST4 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT N沟道10A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK的PowerMESH TM IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB10NC60KDT4 EDA模型中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH IGBT N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP短路额定IGBT的PowerMESH	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB10NC60KT4 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB19NC60HD 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	19 A - 600 V - very fast IGBT 19 A - 600 V - 非常快速的IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB19NC60HDT4 EDA模型中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	19 A - 600 V - very fast IGBT 19 A - 600 V - 非常快速的IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB19NC60HT4 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	40A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3	栅双极性晶体管功率控制
		STGB19NC60KDT4 EDA模型中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT 20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB19NC60KT4 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT 20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB20NB37LZ 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N-CHANNEL CLAMPED 20A D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT N沟道固支20A D2PAK内部钳位的PowerMESH IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB20NB37LZT4 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT N沟道固支20A - D2PAK内部钳位的PowerMESH TM IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB20NC60VT4 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	60A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3	栅双极性晶体管功率控制
		STGB30NC60KT4 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT 30 A - 600 V - 短路崎岖IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB35N35LZT4 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ	栅双极性晶体管功率控制光电二极管
		STGB35N35LZT4TRL 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	40A, 380V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3	双极性晶体管功率控制光电二极管
		STGB3NC120HDT4 EDA模型中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode	瞄准线功率控制晶体管
		STGB5NC60KD 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	20A, 600V, N-CHANNEL IGBT, D2PAK-3	栅双极性晶体管功率控制
		STGB6NB60H 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	12A, 600V, N-CHANNEL IGBT, D2PAK-3	双极性晶体管功率控制
		STGB6NB60HD 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N-CHANNEL 6A - 600V - D2PAK Low Drop PowerMESH? IGBT N沟道6A - 600V - D2PAK低压降PowerMESH⑩ IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB6NC60HD-1 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH⑩ IGBT N沟道600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP非常快PowerMESH⑩ I	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB6NC60HT4 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N-channel 600V - 7A - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT N沟道600V - 7A - D2PAK非常快的PowerMESH TM IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB7NB60KD 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT N沟道7A - 600V - TO- 220 / FP / DPAK / D2PAK PowerMESH⑩ IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		STGB7NC60HD EDA模型中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT N沟道14A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK非常快的PowerMESH IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅 PC
		STGB7NC60HDT4 EDA模型中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT N沟道14A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK非常快的PowerMESH IGBT	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅

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总112条记录，每页显示30条记录分4页显示。

STMICROELECTRONICS是什么品牌：意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。自创办以来，意法半导体在研发的投入上从未动摇过，被公认为半导体工业最具创新力的公司之一。制造工艺包括先进的CMOS逻辑（包括嵌入式存储器的衍生产品）、混合信号、模拟和功率制造工艺。在先进的CMOS领域，意法半导体将与IBM联盟合作开发下一代制造工艺，包括32nm 和 22nm CMOS工艺开发、设计实现技术和针对300mm晶圆制造的先进研究，此外，意法半导体和IBM还将利用位于法国Crolles的300mm生产设施开发高附加值的CMOS衍生系统级芯片技术。意法半导体在全球拥有一个巨大的晶圆前后工序制造网络（前工序指晶圆制造，后工序指组装、封装和测试）。公司正在向轻资金密集型制造战略转型，最近公布了关闭一些旧工厂的停产计划。目前，意法半导体的主要晶圆制造厂位于意大利的Agrate Brianza和Catania、法国的Crolles、Rousset和Tours、美国的Phoenix和Carrollton，以及新加坡。