| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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TC55YK1618AYB-500
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 1M X 18 DDR SRAM, 0.3 ns, CBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-153, Static RAM | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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TC55YK1618AYB-666
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 1M X 18 DDR SRAM, 0.2 ns, CBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-153, Static RAM | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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TC55YK1618AYB-800
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 1M X 18 DDR SRAM, 0.2 ns, CBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-153, Static RAM | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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TC55YK1636AYB-500
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 512K X 36 DDR SRAM, 0.3 ns, CBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-153, Static RAM | 双倍数据速率 静态存储器 | |||
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TC55YK1636AYB-666
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 512K X 36 DDR SRAM, 0.2 ns, CBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-153, Static RAM | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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TC55YK1636AYB-800
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 512K X 36 DDR SRAM, 0.2 ns, CBGA153, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-153, Static RAM | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | ||
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TC55YK1636XB-400
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC,SYNC SRAM,DDR,512KX36,CMOS,BGA,153PIN,PLASTIC | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | |||
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TC55YK1636XB-666
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC,SYNC SRAM,DDR,512KX36,CMOS,BGA,153PIN,PLASTIC | 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路 | |||
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TC59LM805AMG-50
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC,DRAM,FCRAM(DDR),4X16MX8,CMOS,BGA,60PIN,PLASTIC | 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路 | |||
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TC59LM806BFT-24
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 32M X 8 DDR DRAM, 0.9 ns, PDSO66, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-66, Dynamic RAM | 时钟 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路 | ||
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TC59LM806BFT-30
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 32M X 8 DDR DRAM, 1 ns, PDSO66, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-66, Dynamic RAM | 时钟 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路 | ||
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TC59LM806CFT-50
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
4,194,304 / 8,388,608-WORDS x 4 BANKS x 16 / 8-BITS Network FCRAM 4,194,304 / 8,388,608字×4银行×16 /8- BITS网络FCRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
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TC59LM806CFT-60
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
4,194,304 / 8,388,608-WORDS x 4 BANKS x 16 / 8-BITS Network FCRAM 4,194,304 / 8,388,608字×4银行×16 /8- BITS网络FCRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
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TC59LM806CTG-55
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-66, Dynamic RAM | 时钟 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路 | ||
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TC59LM813AMG-55
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC,DRAM,FCRAM(DDR),4X8MX16,CMOS,BGA,60PIN,PLASTIC | 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路 | |||
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TC59LM813AMG-60
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC,DRAM,FCRAM(DDR),4X8MX16,CMOS,BGA,60PIN,PLASTIC | 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路 | |||
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TC59LM814CFT-50
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
4,194,304 / 8,388,608-WORDS x 4 BANKS x 16 / 8-BITS Network FCRAM 4,194,304 / 8,388,608字×4银行×16 /8- BITS网络FCRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
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TC59LM814CFT-60
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
4,194,304 / 8,388,608-WORDS x 4 BANKS x 16 / 8-BITS Network FCRAM 4,194,304 / 8,388,608字×4银行×16 /8- BITS网络FCRAM |
存储 内存集成电路 光电二极管 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
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TC59LM818DMB-33
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC 288Mbits Network FCRAM2 MOS数字集成电路硅单片288Mbits网络FCRAM2 |
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 | ||
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TC59LM818DMB-40
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC 288Mbits Network FCRAM2 MOS数字集成电路硅单片288Mbits网络FCRAM2 |
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 | ||
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TC59LM818DMG-33
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC 288Mbits Network FCRAM2 MOS数字集成电路硅单片288Mbits网络FCRAM2 |
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
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TC59LM818DMGI-37
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 16M X 18 DDR DRAM, 0.65 ns, PBGA60, 9 X 17 MM, 1.00 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TFBGA-60, Dynamic RAM | 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路 | ||
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TC59LM818DMGI-40
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC,DRAM,FCRAM(DDR),4X4MX18,CMOS,BGA,60PIN,PLASTIC | 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路 | |||
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TC59LM836DKB-30
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC 288Mbits Network FCRAM2 MOS数字集成电路硅单片288Mbits网络FCRAM2 |
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 | ||
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TC59LM836DKB-33
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC 288Mbits Network FCRAM2 MOS数字集成电路硅单片288Mbits网络FCRAM2 |
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 | ||
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TC59LM836DKB-40
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC 288Mbits Network FCRAM2 MOS数字集成电路硅单片288Mbits网络FCRAM2 |
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 | ||
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TC59LM836DKG-30
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC MOS数字集成电路硅单片 |
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
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TC59LM836DKG-33
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC MOS数字集成电路硅单片 |
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
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TC59LM836DKG-40
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC MOS数字集成电路硅单片 |
存储 内存集成电路 动态存储器 双倍数据速率 时钟 | ||
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TC59LM906AMB-45
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
IC 64M X 8 DDR DRAM, 22 ns, PBGA60, 13 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-60, Dynamic RAM | 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路 |
TOSHIBA是什么品牌：东芝集团创立于1875年，致力于为人类和地球的明天而努力奋斗，力争成为能创造丰富的价值并能为全人类的生活、文化作贡献的企业集团，东芝集团业务领域包括东芝电脑、东芝半导体＆存储产品、 个人与家庭用产品、服务与支持。东芝电子元件（上海）有限公司于2017年9月20日注册于中国（上海）自由贸易区。经营范围主要为仓储分拨型业务，电子、电子为主的销售和技术支持，咨询服务等。东芝电子元件（上海）有限公司专责处理东芝电子元件及存储装置株式会社的产品在中国市场的销售和业务推广，资材采购支援、客户技术支持、外包生产技术支持。为广大客户提供优质服务。东芝电子元件（上海）有限公司销售的产品都是东芝所设计及生产的高科技半导体产品。适用于汽车电子、消费类电子、移动通信设备、电脑、音响器材、卫星导航设备等。