型号等于：	1A1KV (1) 1A7 (1) 1N4001 (1) 1N4002 (1) 1N4003 (1) 1N4004 (1) 1N4005 (1) 1N4006 (1) 1N4007 (1) 1N4148 (1) 1N4148S (1) 1N4148W (1) 1N4150W (1) 1N4151W (1) 1N4448W (1) 1N4755A (1) 1N5177W (1) 1N5252B (1) 1N5400 (1) 1N5401 (1) 1N5402 (1) 1N5404 (1) 1N5406 (1) 1N5407 (1) 1N5408 (1) 1N5817 (1) 1N5817W (1) 1N5818 (1) 1N5818W (1) 1N5819 (1) 1N5819W (1)
型号起始：	1.5KE10* (4) 1.5KE11* (4) 1.5KE12* (4) 1.5KE13* (4) 1.5KE15* (4) 1.5KE16* (4) 1.5KE17* (2) 1.5KE18* (4) 1.5KE20* (4) 1.5KE22* (4) 1.5KE24* (2) 1.5KE25* (2) 1.5KE27* (2) 1.5KE30* (4) 1.5KE33* (2) 1.5KE35* (2) 1.5KE36* (2) 1.5KE39* (2) 1.5KE40* (2) 1.5KE43* (2) 1.5KE44* (2) 1.5KE47* (2) 1.5KE48* (2) 1.5KE51* (4) 1.5KE53* (2) 1.5KE54* (2) 1.5KE55* (2) 1.5KE56* (2) 1.5KE62* (2) 1.5KE68* (2) 1.5KE6V* (2)
所属品牌：	不限 TYSEMI(3451)
功能分类：	不限晶体(812) 晶体管(810) 开关(790) 光电二极管(924) 二极管(981) 测试(361) 齐纳二极管(190) 局域网(224) 放大器(203) 脉冲(208) PC(185) 栅(46) 栅极(97) 电池(32) IOT(54) 通用开关(22) 驱动(50) 仪表(16) 功率放大器(14) 驱动器(41) 栅极驱动(20) 转换器(13) 传感器(7) 温度传感器(6) 射频衰减器(14) 高压(16) 信息通信管理(8) 电话(9) 电阻器(15) 过载保护(4) 便携式(5) 便携式设备(5) 射频(12) 衰减器(11) 肖特基二极管(5) 继电器(5) 瞄准线(5) 移动电话(2) 电视(6) 可编程只读存储器(2) 射频开关(2) 散热片(3) 数字晶体管(2) 场效应晶体管(3) 脉冲发生器(2) 稳压器(5) CD(1) 超快恢复二极管(1) 快速恢复二极管(2) 连接器(1) 无线(1)

TYSEMI - 型号起始 - 栅极; 总记录数：97

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2N60 中文翻译品牌: TYSEMI	RDS(ON) = 3.8 VGS = 10V. Low gate charge ( typical 9.0 nC). Low Crss ( typical 5.0 pF). RDS（ON） = 3.8 VGS = 10V。低栅极电荷（典型值9.0 NC）。低的Crss （典型值5.0 pF	栅极
		2N7002E 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻： RDS （ ON ）低栅极阈值电压低输入电容	晶体栅极晶体管开关光电二极管
		2N7002K 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻： RDS （ ON ）低栅极阈值电压低输入电容	晶体栅极晶体管开关光电二极管 PC
		2N7002T 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容	栅极
		2N7002W 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容	栅极
		2SJ574 中文翻译品牌: TYSEMI	4 V gate drive device 4 V栅极驱动器	驱动器栅极栅极驱动
		2SK1657 中文翻译品牌: TYSEMI	Directly driven by Ics having a 3V power supply Has low gate leakage current IGSS= 5nA MAX 直接通过具有3V电源IC驱动具有低栅极漏电流IGSS =消耗5nA MAX	晶体栅极晶体管开关光电二极管驱动
		2SK1828 中文翻译品牌: TYSEMI	2.5V Gate Drive Low Threshold Voltage :Vth=0.5 to 1.5V High Speed 2.5V栅极驱动低阈值电压： Vth的= 0.5〜 1.5V高速	晶体栅极晶体管开关光电二极管栅极驱动
		2SK1954 中文翻译品牌: TYSEMI	Low on-resistance Low Ciss Ciss=300pF typ Built-in G-S Gate Protection Diode 低导通电阻低西塞西塞= 300pF （典型值）内置GS栅极保护二极管	栅极二极管
		2SK2033 中文翻译品牌: TYSEMI	High input impedance. Low gate threshold voltage :Vth=0.5 to 1.5V Enhancement-Mode 高输入阻抗。低栅极阈值电压Vth的= 0.5〜 1.5V增强模式	栅极
		2SK2158 中文翻译品牌: TYSEMI	Capable of drive gate with 1.5 V Because of high input impedance, there is no need 能够与1.5由于高输入阻抗的V驱动器栅极的，也没有必要	晶体驱动器栅极晶体管开关光电二极管输入元件
		2SK2735S 中文翻译品牌: TYSEMI	4V gate drive device can be driven from 5V source High speed switching 4V栅极驱动器可从5V电源高速开关驱动	晶体驱动器栅极开关晶体管脉冲栅极驱动
		2SK2869 中文翻译品牌: TYSEMI	Low on-resistance RDS = 0.033 typ. 4V gate drive device can be driven from 5V source 低导通电阻RDS = 0.033 （典型值）。 4V栅极驱动器可从5V电源来驱动	驱动器栅极栅极驱动
		2SK2925S 中文翻译品牌: TYSEMI	Low on-resistance RDS =0.060 typ. 4V gate drive device can be driven from 5V source 低导通电阻RDS = 0.060 （典型值）。 4V栅极驱动器可从5V电源来驱动	晶体驱动器栅极晶体管开关脉冲栅极驱动
		2SK3050 中文翻译品牌: TYSEMI	Low on-resistance. Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. Easily designed drive circuits. 低导通电阻。栅极 - 源极电压（ VGSS ）保证为30V 。很容易地设计驱动电路。	栅极驱动
		2SK3109 中文翻译品牌: TYSEMI	Gate voltage rating -30 V Low on-state resistance RDS(on) = 0.4 MAX. (VGS= 10 V, ID = 5.0 A) 栅极电压等级-30 V低通态电阻RDS（on ） = 0.4 MAX 。（ VGS = 10V ， ID	栅极
		2SK3111 中文翻译品牌: TYSEMI	Gate voltage rating -30 V Avalanche capability rated Surface mount device available 栅极电压等级-30 V雪崩能力，额定表面贴装器件提供	晶体栅极晶体管开关脉冲局域网
		2SK3112 中文翻译品牌: TYSEMI	Gate voltage rating -30 V Low on-state resistance RDS(on) = 110m MAX. 栅极电压等级-30 V低通态电阻RDS （ ON） = 110米MAX 。	晶体栅极晶体管开关脉冲局域网
		2SK3116 中文翻译品牌: TYSEMI	Low gate charge QG = 26 nC TYP. (ID = 7.5 A, VDD = 450 V, VGS = 10 V) 低栅极电荷Qg = 26 NC TYP 。（ID = 7.5 A， VDD = 450 V， VGS = 10V）	晶体栅极晶体管开关脉冲局域网
		2SK3147S 中文翻译品牌: TYSEMI	Low on-resistance RDS = 0.1 typ. 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 低导通电阻RDS = 0.1 （典型值）。 4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动	驱动器栅极栅极驱动
		2SK3294 中文翻译品牌: TYSEMI	Gate voltage rating -30 V Low on-state resistance RDS(on) = 160 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) 栅极电压等级-30 V低通态电阻RDS （ ON） = 160 m最大。（ VGS = 10V ， I	栅极
		2SK3299 中文翻译品牌: TYSEMI	Low gate charge QG = 34 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 10 A) 低栅极电荷Qg = 34 NC TYP 。（ VDD = 450 V， VGS = 10V ， ID = 10A）	晶体栅极晶体管开关脉冲局域网
		2SK3305 中文翻译品牌: TYSEMI	Low gate charge QG = 13 nC TYP. (VDD = 400V, VGS = 10 V, ID = 5.0A) 低栅极电荷Qg = 13 NC TYP 。（ VDD = 400V ， VGS = 10V ， ID = 5.0A ）	晶体栅极晶体管开关脉冲局域网
		2SK3322 中文翻译品牌: TYSEMI	Low gate charge QG = 15 nC TYP. (VDD = 450V, VGS = 10 V, ID = 5.5A) 低栅极电荷Qg = 15 NC TYP 。（ VDD = 450V ， VGS = 10V ， ID = 5.5A ）	栅极
		2SK3325 中文翻译品牌: TYSEMI	Low gate charge: QG = 22 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 10 A) 低栅极电荷： QG = 22 NC TYP 。（ VDD = 400 V ， VGS = 10V ， ID = 10A）	栅极
		2SK3456 中文翻译品牌: TYSEMI	Low gate charge QG = 30 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 12 A) 低栅极电荷Qg = 30 NC TYP 。（ VDD = 400 V ， VGS = 10V ， ID = 12 A）	晶体栅极晶体管开关脉冲局域网
		2SK3458 中文翻译品牌: TYSEMI	Low gate charge QG = 25 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 6.0 A) 低栅极电荷Qg = 25 NC TYP 。（ VDD = 450 V， VGS = 10V ， ID = 6.0 A）	晶体栅极晶体管开关脉冲局域网
		2SK3479 中文翻译品牌: TYSEMI	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 11 m MAX. Built-in gate protection diode 超低通态电阻： RDS （ ON） 1 = 11 m最大。内置栅极保护二极管	晶体栅极二极管晶体管开关脉冲局域网
		2SK3480 中文翻译品牌: TYSEMI	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 31 m MAX. Built-in gate protection diode 超低通态电阻： RDS （ ON） 1 = 31 m最大。内置栅极保护二极管	晶体栅极二极管晶体管开关脉冲局域网
		2SK3481 中文翻译品牌: TYSEMI	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 m MAX. Built-in gate protection diode 超低通态电阻： RDS （ ON） 1 = 50 m最大。内置栅极保护二极管	晶体栅极二极管晶体管开关脉冲局域网

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TYSEMI是什么品牌：台湾TY专注致力于电源管理IC及功率器件（MOSFET）Discrete研发、设计、制造、封装、测试及行销业务。为客户提供完整的解决方案及具价格的竞争优势。产品涵盖电源管理、运算放大器，低压LV MOS管、中压MV MOS管、三极管、高频管等，封装形式覆盖SC-70、SC-70-5、SC70-6、SOT23、SOT23-5、SOT23-6、SOT523、SOT323、SOT363、SOT223、SOT89、SOT252、DFN1010、DFN3*3、DFN5*6、SOP8系列。