品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SJ574
中文翻译 品牌: TYSEMI |
4 V gate drive device 4 V栅极驱动器 |
驱动器 栅极 栅极驱动 | |||
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2SK1828
中文翻译 品牌: TYSEMI |
2.5V Gate Drive Low Threshold Voltage :Vth=0.5 to 1.5V High Speed 2.5V栅极驱动低阈值电压: Vth的= 0.5〜 1.5V高速 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 栅极驱动 | |||
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2SK2735S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
4V gate drive device can be driven from 5V source High speed switching 4V栅极驱动器可从5V电源高速开关驱动 |
晶体 驱动器 栅极 开关 晶体管 脉冲 栅极驱动 | |||
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2SK2869
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance RDS = 0.033 typ. 4V gate drive device can be driven from 5V source 低导通电阻RDS = 0.033 (典型值) 。 4V栅极驱动器可从5V电源来驱动 |
驱动器 栅极 栅极驱动 | |||
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2SK2925S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance RDS =0.060 typ. 4V gate drive device can be driven from 5V source 低导通电阻RDS = 0.060 (典型值) 。 4V栅极驱动器可从5V电源来驱动 |
晶体 驱动器 栅极 晶体管 开关 脉冲 栅极驱动 | |||
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2SK3147S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance RDS = 0.1 typ. 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 低导通电阻RDS = 0.1 (典型值) 。 4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动 |
驱动器 栅极 栅极驱动 | |||
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KPA1750
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Dual MOSFET chips in small package 4V Gate Drive Type and Low On-Resistance 双MOSFET芯片小型封装4V栅极驱动型和低导通电阻 |
栅极 栅极驱动 | |||
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KPA1758
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Dual MOS FET chips in small package 2.5 V gate drive type low on-state resistance 双MOS场效应管芯片的小型封装2.5V的栅极驱动型低通态电阻 |
栅极 栅极驱动 | |||
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KVN4525E6
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High voltage Low on-resistance Fast switching speed Low gate drive Low threshold 高电压低导通电阻开关速度快低栅极驱动器的低门槛 |
驱动器 栅极 开关 栅极驱动 | |||
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KVN4525Z
中文翻译 品牌: TYSEMI |
High voltage Low on-resistance Fast switching speed Low gate drive Low threshold 高电压低导通电阻开关速度快低栅极驱动器的低门槛 |
驱动器 栅极 开关 栅极驱动 | |||
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ZXMN2B01F
中文翻译 品牌: TYSEMI |
20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability SOT23封装的20V N沟道增强型MOSFET具有低栅极驱动能力 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 栅极驱动 | |||
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ZXMN2B01FTA
中文翻译 品牌: TYSEMI |
20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability SOT23封装的20V N沟道增强型MOSFET具有低栅极驱动能力 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 栅极驱动 | |||
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ZXMN2B14FH
中文翻译 品牌: TYSEMI |
20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability SOT23封装的20V N沟道增强型MOSFET具有低栅极驱动能力 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 栅极驱动 PC | |||
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ZXMN2B14FHTA
中文翻译 品牌: TYSEMI |
20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability SOT23封装的20V N沟道增强型MOSFET具有低栅极驱动能力 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 栅极驱动 | |||
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ZXMN3B01F
中文翻译 品牌: TYSEMI |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE 30V N沟道增强型MOSFET 2.5V栅极驱动 |
栅极 栅极驱动 | |||
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ZXMN3B01FTA
中文翻译 品牌: TYSEMI |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE 30V N沟道增强型MOSFET 2.5V栅极驱动 |
栅极 栅极驱动 | |||
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ZXMN3B01FTC
中文翻译 品牌: TYSEMI |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE 30V N沟道增强型MOSFET 2.5V栅极驱动 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 栅极驱动 | |||
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ZXMN3B14F
中文翻译 品牌: TYSEMI |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE 30V N沟道增强型MOSFET 2.5V栅极驱动 |
栅极 栅极驱动 | |||
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ZXMN3B14FTA
中文翻译 品牌: TYSEMI |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE 30V N沟道增强型MOSFET 2.5V栅极驱动 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 栅极驱动 | |||
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ZXMN3B14FTC
中文翻译 品牌: TYSEMI |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE 30V N沟道增强型MOSFET 2.5V栅极驱动 |
晶体 栅极 晶体管 开关 光电二极管 栅极驱动 |
Total:201
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TYSEMI是什么品牌:台湾TY专注致力于电源管理IC及功率器件(MOSFET)Discrete研发、设计、制造、封装、测试及行销业务。为客户提供完整的解决方案及具价格的竞争优势。产品涵盖电源管理、运算放大器,低压LV MOS管、中压MV MOS管、三极管、高频管等,封装形式覆盖SC-70、SC-70-5、SC70-6、SOT23、SOT23-5、SOT23-6、SOT523、SOT323、SOT363、SOT223、SOT89、SOT252、DFN1010、DFN3*3、DFN5*6、SOP8系列。