UC3846中 - 型号起始 - 功率因数校正; 总记录数：78

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		BD92111F 中文翻译品牌: ROHM	BD92111F是PFC直接连接的电流共振型LED驱动器。LED电流通过频率控制。应用可直接连接PFC，可使用半桥结构。因此可减少外接部件的数量。BD92111F中内置了应对异常状态的几种保护功能。过电压保护 (OVP : over voltage protection), LED开路检测 (IS	驱动功率因数校正驱动器
		IDP08E65D1 中文翻译品牌: INFINEON	Rapid 1 650 V 开关, 8 A 发射极控制硅功率二极管具有 TO-220 real2pin 封装,十分适合PFC拓扑，通常应用于家用空调，洗碗机等大型家电中。	开关空调功率因数校正二极管
		IDP15E65D1 中文翻译品牌: INFINEON	Rapid 1 650 V 开关, 15 A 发射极控制硅功率二极管具有 TO-220 real2pin 封装,十分适合PFC拓扑，通常应用于家用空调，洗碗机等大型家电中。	超快恢复二极管快速恢复二极管局域网开关空调功率因数校正光电二极管
		IDP30E65D1 中文翻译品牌: INFINEON	Rapid 1 650 V 开关,?30 A 发射极控制power 硅功率二极管 ??具有 TO-220 real2pin 封装,十分适合PFC拓扑，通常应用于家用空调，洗碗机等大型家电中。	开关空调功率因数校正二极管
		IDV20E65D1 中文翻译品牌: INFINEON	Rapid 1 650 V 开关,?20 A 发射极控制power 硅功率二极管 ??具有 TO-220 FullPAK 封装,十分适合PFC拓扑，通常应用于家用空调，洗碗机等大型家电中。	开关空调功率因数校正二极管
		IDWD10G120C5 EDA模型中文翻译品牌: INFINEON	是1200 V、10 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或P	开关双极性晶体管功率因数校正肖特基二极管
		IDWD15G120C5 中文翻译品牌: INFINEON	是1200 V、15 A第五代CoolSiC?肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或P	开关双极性晶体管功率因数校正肖特基二极管
		IDWD20G120C5 中文翻译品牌: INFINEON	是1200 V、20 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或P	开关双极性晶体管功率因数校正肖特基二极管
		IDWD30G120C5 中文翻译品牌: INFINEON	是1200 V、30 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或P	开关双极性晶体管功率因数校正肖特基二极管
		IDWD40G120C5 中文翻译品牌: INFINEON	是1200 V、40 A第五代CoolSiC™肖特基二极管，它采用TO-247 真2脚封装，可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙，在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET，如在三相转换系统使用的Vienna整流级或P	开关双极性晶体管功率因数校正肖特基二极管
		IPA60R060C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPA60R120C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS? C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPB60R040C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPB60R060C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPB60R099C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPB60R120C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPB60R180C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS? C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPDQ60R010S7A 中文翻译品牌: INFINEON	汽车级 600V CoolMOS™ S7A 超结 MOSFET 系列符合 AEC-Q101 标准，经优化后可显著降低导通损耗，具备高压超结 MOSFET 市场领域中的较低 RDS(on)。该系列产品具备前所未有的 RDS(on) 与价格优势，品质因数出色，尤为适用于高压电熔丝、高压电子断开装置和有源	电子高压功率因数校正电熔丝装置
		IPL60R065C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关脉冲功率因数校正晶体管
		IPL60R104C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS? C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPL60R125C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPP60R060C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPP60R120C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPW60R120C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS? C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPZ60R017C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		IPZ60R060C7 中文翻译品牌: INFINEON	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！	开关功率因数校正
		PDRA-120-12 中文翻译品牌: CUI	PDRA-120系列是一个单路输出120 W的AC-DC电源，采用紧凑的DIN导轨封装，便于安装到控制柜中。该DIN导轨导轨ac-dc电源具有能效高达92%的高效率，以及有源功率因数校正和远程开/	功率因数校正光电二极管
		PDRA-120-48 中文翻译品牌: CUI	PDRA-120系列是一个单路输出120 W的AC-DC电源，采用紧凑的DIN导轨封装，便于安装到控制柜中。该DIN导轨导轨ac-dc电源具有能效高达92%的高效率，以及有源功率因数校正和远程开/	功率因数校正光电二极管
		PDRA-240-48 中文翻译品牌: CUI	PDRA-240系列是一个单路输出240 W的AC-DC电源，采用紧凑的DIN导轨封装，便于安装到控制柜中。该DIN导轨导轨ac-dc电源具有能效高达92%的高效率，以及有源功率因数校正和远程开/	功率因数校正光电二极管
		R6015KNZ 中文翻译品牌: ROHM	R6xxxKNx系列是重视高效性，以高速开关性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在追求高速开关的应用中实现高性能。高速开关性能有助于实现PFC和LLC等电路的高效率化。	开关功率因数校正

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