品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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3LP01S-TL-E
中文翻译 品牌: ONSEMI |
P-Channel Small Signal MOSFET â30V, â0.1A, 10.4, Single SMCP P沟道小信号MOSFET中的???? 30V ,Ⅰ ???? 0.1A , 10.4 ,单SMCP |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 PC | ||
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CFS0103-SB-0G0T
中文翻译 品牌: MIMIX |
0.1-10.0 GHz Low Noise, Medium Power pHEMT in a Surface Mount Plastic Package 0.1-10.0 GHz的低噪声,中功率pHEMT制在一个表面贴装塑料封装 |
晶体 晶体管 光电二极管 放大器 | |||
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CFS0303-SB
中文翻译 品牌: MIMIX |
0.1-10.0 GHz Low Noise, Medium Power pHEMT in a Surface Mount Plastic Package 0.1-10.0 GHz的低噪声,中功率pHEMT制在一个表面贴装塑料封装 |
晶体 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 光电二极管 放大器 | |||
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CFS0303-SB-0G00
中文翻译 品牌: MIMIX |
0.1-10.0 GHz Low Noise, Medium Power pHEMT in a Surface Mount Plastic Package 0.1-10.0 GHz的低噪声,中功率pHEMT制在一个表面贴装塑料封装 |
光电二极管 | |||
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CFS0303-SB-0G0T
中文翻译 品牌: MIMIX |
0.1-10.0 GHz Low Noise, Medium Power pHEMT in a Surface Mount Plastic Package 0.1-10.0 GHz的低噪声,中功率pHEMT制在一个表面贴装塑料封装 |
晶体 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 | |||
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FDY102PZ
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Single P-Channel (â1.5 V) Specified PowerTrench® MOSFET â20 V, â0.83 A, 0.5 单P沟道(A ???? 1.5 V)额定PowerTrench® MOSFET中的???? 20 V,A ???? 0.8 |
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MMFT107T1
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
MEDIUM POWER TMOS FET 250 mA, 200 VOLTS 中功率FET TMOS 250毫安, 200伏 |
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MMFT1N10E
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS 中功率FET TMOS 1安培100伏 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | ||
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MMFT2955E
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
TMOS MEDIUM POWER FET 1.2 AMP 60 VOLTS TMOS中功率FET 1.2 AMP 60伏 |
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MMFT2N02EL
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
MEDIUM POWER LOGIC LEVEL TMOS FET 1.6 AMP 20 VOLTS 中功率逻辑电平TMOS FET 1.6 AMP的20伏 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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MMFT3055E
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
MEDIUM POWER TMOS FET 1.7 AMP 60 VOLTS 中功率FET TMOS 1.7 AMP的60伏 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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MMFT3055EL
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
MEDIUM POWER LOGIC LEVEL TMOS FET 1.5 AMP 60 VOLTS 中功率逻辑电平TMOS场效应管1.5 AMP的60伏 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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MMFT960T1
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
MEDIUM POWER TMOS FET 300 mA 60 VOLTS 中功率FET TMOS 300毫安60伏 |
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NE651R479A
中文翻译 品牌: CEL |
MEDIUM POWER GaAs HJ-FET 中功率的GaAs HJ- FET |
晶体 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 放大器 | |||
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NE850R599A
中文翻译 品牌: NEC |
C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET C波段中功率的GaAs MESFET |
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NTK3142PT1G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Small Signal MOSFET â20 V, â280 mA, PâChannel with ESD Protection, SOTâ723 小信号MOSFET中的???? 20 V,A ???? 280毫安, PA ????通道带ESD保护, SOTA ???? 72 |
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NTLUD3A260PZTAG
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET â20 V, â2.1 A,Cool Dual PâChannel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package 功率MOSFET中的???? 20 V,A ???? 2.1 A, ?酷双霸????通道, ESD, 1.6x1.6 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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NTLUD3A260PZTBG
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET â20 V, â2.1 A,Cool Dual PâChannel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package 功率MOSFET中的???? 20 V,A ???? 2.1 A, ?酷双霸????通道, ESD, 1.6x1.6 |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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NTLUS3A18PZTAG
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET â20 V, â8.2 A, Single PâChannel, 功率MOSFET中的???? 20 V,A ???? 8.2 A单PA ????通道, |
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NTLUS3A18PZTBG
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET â20 V, â8.2 A, Single PâChannel, 功率MOSFET中的???? 20 V,A ???? 8.2 A单PA ????通道, |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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NTLUS3A18PZTCG
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET â20 V, â8.2 A, Single PâChannel, 功率MOSFET中的???? 20 V,A ???? 8.2 A单PA ????通道, |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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NVTR0202PLT1G
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
Power MOSFET â20 V, â400 mA, PâChannel SOTâ23 Package 功率MOSFET中的???? 20 V,A ???? 400毫安, PA ????频道SOTA ???? 23包 |
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SI4955DY-T1-E3
中文翻译 品牌: VISHAY |
Asymmetrical Dual P-Channel 30-V/20-V (D-S) MOSFETs 不对称双P通道30伏/ 20 -V( DS)中的MOSFET |
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SSM5H06FE
中文翻译 品牌: TOSHIBA |
Combined Nch MOSFET and Schottky Diode in one Package. 结合N沟道MOSFET和肖特基二极管在一个封装中。 |
晶体 肖特基二极管 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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TC3921
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
Low - Cost Single-Bias Medium Power PHEMT GaAs FETs 低 - 成本单偏置中功率的GaAs PHEMT场效应管 |
晶体 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 | |||
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TC3938
中文翻译 品牌: TRANSCOM |
Packaged Single-Bias Medium Power PHEMT GaAs FETs 包装单偏置中功率的GaAs PHEMT场效应管 |
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