UC3846中 - 型号起始 - 静态存储器; 总记录数：24

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AK6321024W-15 中文翻译品牌: ACCUTEK	1,048,576 x 32 Bit CMOS/BiCMOS Static Random Access Memory 1048576 ×32位CMOS / BiCMOS工艺中的静态随机存取存储器	存储内存集成电路静态存储器
		AK632256AW-15 中文翻译品牌: ACCUTEK	262,144 x 32 Bit CMOS/BiCMOS Static Random Access Memory 262144 ×32位CMOS / BiCMOS工艺中的静态随机存取存储器	存储内存集成电路静态存储器
		AK632256BZ-12 中文翻译品牌: ACCUTEK	262,144 x 32 Bit CMOS/BiCMOS Static Random Access Memory 262144 ×32位CMOS / BiCMOS工艺中的静态随机存取存储器	存储内存集成电路静态存储器信息通信管理
		AK632256Z-15 中文翻译品牌: ACCUTEK	262,144 x 32 Bit CMOS/BiCMOS Static Random Access Memory 262144 ×32位CMOS / BiCMOS工艺中的静态随机存取存储器	存储内存集成电路静态存储器
		AK632512AW-15 中文翻译品牌: ACCUTEK	524,288 x 32 Bit CMOS / BiCMOS Static Random Access Memory 524288 ×32位CMOS / BiCMOS工艺中的静态随机存取存储器	存储内存集成电路静态存储器
		AS7C251MFT18A 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	静态存储器
		AS7C251MFT18A-10TQC 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器时钟
		AS7C251MFT18A-10TQCN 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器时钟
		AS7C251MFT18A-10TQI 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	静态存储器
		AS7C251MFT18A-10TQIN 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器时钟
		AS7C251MFT18A-75TQC 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器
		AS7C251MFT18A-75TQCN 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器
		AS7C251MFT18A-75TQI 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	静态存储器
		AS7C251MFT18A-75TQIN 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器
		AS7C251MFT18A-85TQC 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器时钟
		AS7C251MFT18A-85TQCN 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	静态存储器
		AS7C251MFT18A-85TQI 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器时钟
		AS7C251MFT18A-85TQIN 中文翻译品牌: ALSC	2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM 2.5V 1M ×18流体中的突发同步SRAM	存储内存集成电路静态存储器时钟
		NTE2102 中文翻译品牌: NTE	Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns 集成电路的NMOS ， 1K中的静态RAM（SRAM）， 350ns	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		TC551402J-22 中文翻译品牌: TOSHIBA	4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM 4194304字中的1位/ 1,048,576字一个4位CMOS静态RAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		TC551402J-25 中文翻译品牌: TOSHIBA	4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM 4194304字中的1位/ 1,048,576字一个4位CMOS静态RAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		TC55V1403FT-15 中文翻译品牌: TOSHIBA	4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM 4194304字中的1位/ 1,048,576字一个4位CMOS静态RAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
		TC55V1403J-15 中文翻译品牌: TOSHIBA	4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM 4194304字中的1位/ 1,048,576字一个4位CMOS静态RAM	内存集成电路静态存储器光电二极管
		TC55V1403J-20 中文翻译品牌: TOSHIBA	4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM 4194304字中的1位/ 1,048,576字一个4位CMOS静态RAM	存储内存集成电路静态存储器光电二极管

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