品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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54F189A/BEA
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 16X4, 9ns, TTL, CDIP16 | 静态存储器 | |||
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54S189/BEA
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 16X4, 50ns, TTL, CDIP16, | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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54S189/BFA
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 16X4, 50ns, TTL, CDFP16, | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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74F670D
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 4X4, 10ns, CMOS, PDSO16 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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74F670D-T
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 4X4, 10ns, CMOS, PDSO16 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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74F670N
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 4X4, 10ns, CMOS, PDIP16 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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82S09/BXA
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 64X9, 80ns, TTL, CDIP28 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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82S212/BWA
中文翻译 品牌: YAGEO |
Cache SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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82S212/BWA-40
中文翻译 品牌: YAGEO |
Cache SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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8X350/BWA
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 256X8, TTL, CDIP22 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N3101AD
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 16X4, 35ns, TTL, PDSO16 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N3101AN
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 16X4, 35ns, TTL, PDIP16 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N74170N
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 4X4, 40ns, TTL, PDIP16, | 静态存储器 光电二极管 | |||
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N74LS170N
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 4X4, 40ns, TTL, PDIP16, | 静态存储器 光电二极管 | |||
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N74LS301D
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDSO16 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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N74LS301N
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 256X1, 40ns, TTL, PDIP16 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N74S172N
中文翻译 品牌: YAGEO |
Multi-Port SRAM, 8X2, 38ns, TTL, PDIP24 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N74S301D
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 256X1, 50ns, TTL, PDSO16 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N74S301N
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 256X1, 50ns, TTL, PDIP16 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N82S09A
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 64X9, 45ns, TTL, PQCC28 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N82S09AA
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 64X9, 35ns, TTL, PQCC28 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N82S09AN
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 64X9, 35ns, TTL, PDIP28 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N82S09N
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 64X9, 45ns, TTL, PDIP28 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N82S212A
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, PQCC28 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N82S212AN
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 256X9, 35ns, TTL, PDIP22 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N82S212N
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, PDIP22 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N82S25N
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 16X4, 50ns, TTL, PDIP16 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N8X350A
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 256X8, TTL, PQCC28 | 静态存储器 内存集成电路 | |||
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N8X350N
中文翻译 品牌: YAGEO |
Standard SRAM, 256X8, TTL, PDIP22 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 |
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YAGEO是什么品牌:国巨股份在台湾是上市公司,也是全球最大被动元器件的生产制造商。国巨电子(中国)有限公司于1998年10月在苏州正式投产,是国内及全球最大制造商,主要产品包括电阻和电容,电阻部分包括CHIP和LEADED两部分,2003年11月,导线电阻部独立,成立国巨电子组件(苏州)有限公司。公司注册资金500万美元,占地约12500M2,11条生产线,月产能5亿。以导线电阻为主要产品,包括精密金属皮膜电阻器,保险丝电阻器等敏感电子元器件,水泥电阻器,金属氧化膜电阻器等电力电子元器件,碳膜电阻器,绕线有感及无感电阻等电子元器件。