品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
SCT3030AR
中文翻译 品牌: ROHM |
SCT3030AR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装,能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装(TO-247N)相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可 | 电站 开关 栅 驱动 服务器 驱动器 | |||
![]() |
SCT3040KR
中文翻译 品牌: ROHM |
SCT3040KR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装,能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装(TO-247N)相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可 | 电站 开关 栅 驱动 服务器 驱动器 | |||
![]() |
SCT3060AR
中文翻译 品牌: ROHM |
SCT3060AR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装,能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装(TO-247N)相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可 | 电站 开关 栅 驱动 服务器 驱动器 | |||
![]() |
SCT3080AR
中文翻译 品牌: ROHM |
SCT3080AR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装,能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装(TO-247N)相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可 | 电站 开关 栅 驱动 服务器 驱动器 | |||
![]() |
SCT3080KR
中文翻译 品牌: ROHM |
SCT3080KR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装,能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装(TO-247N)相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可 | 电站 开关 栅 驱动 服务器 驱动器 | |||
![]() |
SCT3105KR
中文翻译 品牌: ROHM |
SCT3105KR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装,能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装(TO-247N)相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可 | 电站 开关 栅 驱动 服务器 驱动器 |
Total:61
总6条记录,每页显示30条记录分1页显示。