型号等于：	1830 (1) 1837 (1)
型号起始：	183* (1033) 183 * (1) 183-* (147) 183N* (12) 1830* (194) 1831* (74) 1832* (108) 1833* (75) 1834* (49) 1835* (115) 1836* (61) 1837* (88) 1838* (76) 1839* (33)
所属品牌：	不限 PHOENIX(643) MOLEX(117) MILL-MAX(116) BOURNS(64) HAMMOND(57) CML(32) PREDIP(31) ILLINOISCAPACITOR(13) VCC(13) INFINEON(8) TE(8) ETC(7) SENSITRON(7) WEIDMULLER(5) NI(4) SMC(4) VICOR(4) CANDD(3) MICROSEMI(3) MURATA(3) VISHAY(3) COMSET(2) DIALIGHT(2) SCHNEIDER(2) HITTITE(1) POMONA(1) SLPOWER(1)
功能分类：	不限端子和端子排(678) 变压器(41) PC(33) 光电(19) 电容器(14) 铝电解电容器(11) 连接器(29) 连接器支架(11) 显示器(8) 局域网(19) 二极管(14) 整流二极管(5) 电感器(6) 固定电感器(3) 测试(8) 射频感应器(4) 高功率电源(2) 开关(2) 接线终端(2) 晶体(2) 晶体管(2) 大电流电感器(2) 插座(1) 继电器(1)

183 - 型号起始 - 功率场效应晶体管; 总记录数：5

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SJ183 中文翻译品牌: TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	开关晶体管
		2SJ183TE16R 中文翻译品牌: TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	开关晶体管
		MRF183LSR1 中文翻译品牌: FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N沟道增强模式横向的MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器
		MRF183R1 中文翻译品牌: FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N沟道增强模式横向的MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器局域网
		SI7615ADN-T1-GE3 中文翻译品牌: VISHAY	漏源电压Vdss(V):20V;额定电流Id(A):35A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):4.4 mOhm @ 20A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):183nC	栅栅极

Total:51

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