型号等于：	186 (2) 1860 (1) 1861 (1) 1862 (1) 1863 (1) 1864 (1) 1866 (2) 1869 (2)
型号起始：	186* (1012) 186 * (1) 186-* (17) 186K* (14) 186M* (4) 1860* (301) 1861* (137) 1862* (261) 1863* (243) 1864* (28) 1866* (2) 1869* (2)
所属品牌：	不限 CML(481) PHOENIX(441) MOLEX(130) KYOCERA AVX(44) ILLINOISCAPACITOR(35) ETC(28) HONEYWELL(16) MACOM(10) SCHNEIDER(10) CDE(9) ALTECH(8) WEIDMULLER(8) TE(5) CANDD(4) DIALIGHT(4) MURATA(4) MSK(3) SENSITRON(3) VISHAY(3) NI(2) VICOR(2) GILWAY(1) RCD(1) VCC(1)
功能分类：	不限端子和端子排(526) 光电(336) 显示器(74) PC(38) 连接器(31) 电容器(28) 铝电解电容器(16) 闪光灯(12) 传感器(12) 换能器(9) 可见光 LED(12) 运算放大器(6) 高压(6) 二极管(16) 继电器(5) 压力传感器(3) 电感器(8) 固定电感器(4) 测试(5) 射频感应器(4) 局域网(3) 薄膜电容器(2) 电机(2) 电路保护(2) 光纤(1) 高功率电源(1) 放大器(1) 固定电容器(1) 大电流电感器(1) 连接器支架(1)

186 - 型号起始 - 脉冲; 总记录数：15

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SK2352 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SOT-186 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 600V V（ BR ） DSS \| 6A I（ D） \| SOT- 186\n	晶体晶体管开关脉冲局域网
		5KP15-E3/73 中文翻译品牌: VISHAY	反向峰值电压VRWM(V):15V;最小反向击穿电压VBR(V):16.7V;最大钳位电压Vc(V):26.9V;最大峰值脉冲电流IPP(A):186A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):5000W（5kW）;元器件封装:P600;	脉冲
		5KP15HE3/73 中文翻译品牌: VISHAY	反向峰值电压VRWM(V):15V;最小反向击穿电压VBR(V):16.7V;最大钳位电压Vc(V):26.9V;最大峰值脉冲电流IPP(A):186A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):5000W（5kW）;	脉冲
		MA4E932A-186 中文翻译品牌: TE	Schottky Zero Bias Detector Diodes	脉冲二极管
		MXLPLAD18KP60A 中文翻译品牌: MICROCHIP	反向峰值电压VRWM(V):60V;最小反向击穿电压VBR(V):66.7V;最大钳位电压Vc(V):96.8V;最大峰值脉冲电流IPP(A):186A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):18000W（18kW）;元器件封装:PLAD;	脉冲
		MXLPLAD18KP60AE3 中文翻译品牌: MICROCHIP	反向峰值电压VRWM(V):60V;最小反向击穿电压VBR(V):66.7V;最大钳位电压Vc(V):96.8V;最大峰值脉冲电流IPP(A):186A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):18000W（18kW）;元器件封装:PLAD;	脉冲
		MXLPLAD18KP60CA 中文翻译品牌: MICROCHIP	反向峰值电压VRWM(V):60V;最小反向击穿电压VBR(V):66.7V;最大钳位电压Vc(V):96.8V;最大峰值脉冲电流IPP(A):186A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):18000W（18kW）;元器件封装:PLAD;	脉冲
		MXLPLAD18KP60CAE3 中文翻译品牌: MICROCHIP	反向峰值电压VRWM(V):60V;最小反向击穿电压VBR(V):66.7V;最大钳位电压Vc(V):96.8V;最大峰值脉冲电流IPP(A):186A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):18000W（18kW）;元器件封装:PLAD;	脉冲
		SM8S22A 中文翻译品牌: dowosemi	反向峰值电压VRWM(V):22V -;最小反向击穿电压VBR(V):24.4V;最大钳位电压Vc(V):35.5V -;最大峰值脉冲电流IPP(A):186A;	脉冲
		SM8S22A-1HE3/2D 中文翻译品牌: VISHAY	反向峰值电压VRWM(V):22V;最小反向击穿电压VBR(V):24.4V;最大钳位电压Vc(V):35.5V;最大峰值脉冲电流IPP(A):186A;最大峰值脉冲功率Ppk(W):6600W（6.6kW）;元器件封装:DO-218AB;	脉冲
		STP3N60XI 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 2.4A I(D) \| SOT-186VAR 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 600V V（ BR ） DSS \| 2.4AI （D ） \| SOT- 186VAR\n	晶体晶体管开关脉冲局域网
		STP4N100XI 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 2A I(D) \| SOT-186VAR 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 1KV V（ BR ） DSS \| 2A I（ D） \| SOT- 186VAR\n	晶体晶体管开关脉冲局域网
		STP4N80XI 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| SOT-186VAR 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 800V V（ BR ） DSS \| 2A I（ D） \| SOT- 186VAR\n	晶体晶体管开关脉冲局域网
		STP5N80XI 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 2.6A I(D) \| SOT-186VAR 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 800V V（ BR ） DSS \| 2.6AI （D ） \| SOT- 186VAR\n	晶体晶体管开关脉冲局域网
		STP8N50XI 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| SOT-186VAR 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 500V V（ BR ） DSS \| 4.5AI （D ） \| SOT- 186VAR\n	晶体晶体管开关脉冲局域网

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