| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1.5SMCJ110A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN | 可编程只读存储器 局域网 光电二极管 | ||
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1.5SMCJ110AE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN | 局域网 光电二极管 | ||
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100951108
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 光电 | |||
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100951144
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 光电 | |||
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100951146
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 局域网 光电 | |||
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100951148
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 光电 | |||
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100951157
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 光电 | |||
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100951192
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 光电 | |||
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100951193
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 光电 | |||
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100951194
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 光电 | |||
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100951195
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 局域网 光电 | |||
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100951197
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 光电 | |||
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100951199
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 光电 | |||
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100951203
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 光电 | |||
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100951209
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Photovoltaic Cell | 光电 | |||
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10BQ100
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
1 Amp Schottky Rectifier 1安培肖特基整流器 |
整流二极管 光电二极管 | ||
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10MQ040N
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
1 Amp Schottky Rectifier 1安培肖特基整流器 |
整流二极管 光电二极管 | ||
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1A448
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Laser Diode, 840nm, | 光电 | |||
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1EZ100D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1EZ100D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1EZ100D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1EZ100D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1EZ100D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1EZ100D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1EZ100D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1EZ100D2E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1EZ100D2E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1EZ100D5/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1EZ100D5/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1EZ100D5E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 |