型号等于:210 (6) 2100 (4) 2102 (2)
型号起始:210* (1027) 210-* (647) 2100* (362) 2101* (8) 2102* (4)
所属品牌:不限 MOLEX(1056) ECS(635) CTS(409) OHMITE(372) MILL-MAX(346) RCD(328) BOURNS(245) TE(180) MICROSEMI(72) PREDIP(64) EMCORE(60) ETC(55) AMPHENOL(48) BELDEN(44) MACOM(37) MARL(35) FRONTIER(24) RAF(20) JDSU(17) APITECH(14) MAKE-PS(13) WURTH(12) SYSTEMSENSOR(8) CALMIRCO(7) MOLEXKITS(6) TDK(6) 3M(5) PHILIPS(5) ITF(4) TEKTRONIX(4) FAIRCHILD(3)
功能分类:不限 连接器(1104) 开关(380) PC(201) 端子和端子排(125) 大电流电感器(74) 测试(88) 转换器(64) 插座(78) 连接器支架(25) 机械(24) 振荡器(28) 拨码开关(17) 电感器(14) 可变电感器(13) 射频感应器(13) IOT(11) 光电(20) 可见光 LED(9) 二极管(15) 信息通信管理(8) 光纤(13) 插槽和芯片载体(7) 变压器(11) 跳线(7) CD(4) 静态存储器(10) 驱动(4) 局域网(4) 电阻器(4) 遥测(3) 无线(3) 光电二极管(7) 内存集成电路(3) 外围集成电路(3) 控制器(4) 时钟(3) 变容二极管(2) 发射机(1) 通信(1) 射频变压器(1) 可编程只读存储器(1) 电动程控只读存储器(1) 电可擦编程只读存储器(1) 数据传输(1) 快速恢复二极管(1) 放大器(1) 功率放大器(1) 固定电感器(1) 线绕电阻器(1) 继电器(1) 电子(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
HS4-6504RH
中文翻译 品牌: RENESAS
4KX1 STANDARD SRAM, 210ns, CQCC18 静态存储器
HS4-6504RRH
中文翻译 品牌: RENESAS
4KX1 STANDARD SRAM, 210ns, CQCC18 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路
HS9-6504RH
中文翻译 品牌: RENESAS
4KX1 STANDARD SRAM, 210ns, CDFP18 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路
HS9-6504RRH
中文翻译 品牌: RENESAS
4KX1 STANDARD SRAM, 210ns, CDFP18 静态存储器
K7P801866M-HC210
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Standard SRAM, 512KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 静态存储器
K7P803611M-HC210
中文翻译 品牌: SAMSUNG
Standard SRAM, 256KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 静态存储器 内存集成电路
MCM69C233TQ15
中文翻译 品牌: ROCHESTER
4KX64 CONTENT ADDRESSABLE SRAM, 210ns, PQFP100, TQFP-100 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路
MCM69C233TQ15
中文翻译 品牌: MOTOROLA
4KX64 CONTENT ADDRESSABLE SRAM, 210ns, PQFP100, TQFP-100 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路
MCM69C233TQ15R
中文翻译 品牌: MOTOROLA
Content Addressable SRAM, 4KX64, 210ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路
MCM69C233TQ20
中文翻译 品牌: MOTOROLA
4KX64 CONTENT ADDRESSABLE SRAM, 210ns, PQFP100, TQFP-100 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路
MCM69C233TQ20R
中文翻译 品牌: MOTOROLA
4KX64 CONTENT ADDRESSABLE SRAM, 210ns, PQFP100, TQFP-100 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路
PIC24HJ128GP210A
中文翻译 品牌: MICROCHIP
16-bit Microcontrollers (up to 256 KB Flash and 16 KB SRAM) with Advanced Analog
16位微控制器(高达256 KB闪存和16 KB SRAM)与先进的模拟
闪存 微控制器 静态存储器
PIC24HJ256GP210A
中文翻译 品牌: MICROCHIP
16-bit Microcontrollers (up to 256 KB Flash and 16 KB SRAM) with Advanced Analog
16位微控制器(高达256 KB闪存和16 KB SRAM)与先进的模拟
闪存 微控制器 静态存储器
PIC24HJ64GP210A
中文翻译 品牌: MICROCHIP
16-bit Microcontrollers (up to 256 KB Flash and 16 KB SRAM) with Advanced Analog
16位微控制器(高达256 KB闪存和16 KB SRAM)与先进的模拟
闪存 微控制器 静态存储器
PIC32MX210F016B
中文翻译 品牌: MICROCHIP
32-bit Microcontrollers (up to 128 KB Flash and 32 KB SRAM) with Audio and Graphics Interfaces, USB, and Advanced Analog
32位微控制器(高达128 KB的闪存和32 KB
闪存 微控制器 静态存储器
PIC32MX210F016C
中文翻译 品牌: MICROCHIP
32-bit Microcontrollers (up to 128 KB Flash and 32 KB SRAM) with Audio and Graphics Interfaces, USB, and Advanced Analog
32位微控制器(高达128 KB的闪存和32 KB
闪存 微控制器 静态存储器
PIC32MX210F016D
中文翻译 品牌: MICROCHIP
32-bit Microcontrollers (up to 128 KB Flash and 32 KB SRAM) with Audio and Graphics Interfaces, USB, and Advanced Analog
32位微控制器(高达128 KB的闪存和32 KB
闪存 微控制器 静态存储器
SCM69C233TQ15
中文翻译 品牌: MOTOROLA
Content Addressable SRAM, 4KX64, 210ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路
SCM69C233TQ15
中文翻译 品牌: ROCHESTER
4KX64 CONTENT ADDRESSABLE SRAM, 210ns, PQFP100, TQFP-100 双倍数据速率 静态存储器 内存集成电路
SST32HF162-70-4C-LBKE
中文翻译 品牌: SILICON
Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA48, 10 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LBGA-48 静态存储器
SST32HF162-70-4E-LBKE
中文翻译 品牌: SILICON
Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA48, 10 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LBGA-48 静态存储器
SST32HF1621C-90-4C-LS
中文翻译 品牌: SILICON
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA62, 8 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LFBGA-62 静态存储器 内存集成电路
SST32HF1622C-90-4C-LFS
中文翻译 品牌: SILICON
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA63, 8 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LFBGA-63 静态存储器 内存集成电路
SST32HF1622C-90-4E-LS
中文翻译 品牌: SILICON
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA62, 8 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LFBGA-62 静态存储器 内存集成电路
SST32HF164-70-4C-LBKE
中文翻译 品牌: SILICON
Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA48, 10 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LBGA-48 静态存储器 内存集成电路
SST32HF164-70-4E-LBKE
中文翻译 品牌: SILICON
Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA48, 10 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LBGA-48 静态存储器 内存集成电路
SST32HF1641-70-4C-LFS
中文翻译 品牌: SILICON
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA63, 8 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LFBGA-63 静态存储器 内存集成电路
SST32HF1641-90-4C-LS
中文翻译 品牌: SILICON
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA62, 8 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LFBGA-62 静态存储器 内存集成电路
SST32HF1641C-70-4C-LSE
中文翻译 品牌: SILICON
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA62, 8 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-210, LFBGA-62 静态存储器 内存集成电路
SST32HF1641C-90-4C-LFS
中文翻译 品牌: SILICON
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA63, 8 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LFBGA-63 静态存储器 内存集成电路
Total:13212345
总132条记录,每页显示30条记录分5页显示。