| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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12MBI50VN-120-50
中文翻译 品牌: FUJI |
Insulated Gate Bipolar Transistor | 栅 双极性晶体管 | |||
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1ED020I12-B2
中文翻译 品牌: INFINEON |
Half Bridge Based MOSFET Driver, 2A, PDSO16, GREEN, PLASTIC, SOP-16 | 栅 驱动 双极性晶体管 光电二极管 接口集成电路 驱动器 | ||
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1ED020I12-BT
中文翻译 品牌: INFINEON |
Half Bridge Based MOSFET Driver, 2A, PDSO16, GREEN, PLASTIC, SOP-16 | 栅 驱动 双极性晶体管 光电二极管 接口集成电路 驱动器 | ||
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1ED3140MU12F
6.5
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER? Compact单通道隔离型栅极驱动器：适用于 IGBT、 MOSFET和SiC MOSFET，6A灌电流和拉电流峰值输出，DSO-8 窄体封装。 1ED3140MU12F是EiceDRIVER? Compact 1ED31x | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
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1ED3141MU12F 6.5
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER? Compact单通道隔离型栅极驱动器：适用于 IGBT、 MOSFET和SiC MOSFET，6A灌和拉峰值输出电流，DSO-8 窄体封装。 1ED3141MU12F是EiceDRIVER? Compact 1ED31xx产? | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
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1ED3142MU12F
6.5
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER? Compact单通道隔离型栅极驱动器：适用于 IGBT、 MOSFET和SiC MOSFET，6A | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
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1ED44175N01B
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 25 V单通道、低边、非反相栅极驱动器,适用于IGBT，拥有典型的2.6 A源漏电流，采用极小的6引脚PG-SOT23封装。 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
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1ED44176N01F
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVERTM 25V 单通道低边非反向栅极驱动器，适用于 MOSFET 和 IGBT，采用小型 8 引脚 PG-DSO8 封装，典型拉电流为0.8 A，灌电流为1.75 A。 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
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1EDC05I12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
1200 V单边高侧栅极驱动器IC，具有UL认证的电流隔离、短路箝位和独立的汇/源输出 | 栅极驱动 双极性晶体管 光电二极管 接口集成电路 驱动器 | ||
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1HP04CH-TL-W
中文翻译 品牌: ONSEMI |
漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):170mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):18 Ohm @ 80mA, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.9nC @ 10V;栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):150°C | 栅 栅极 | ||
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1MB12-140
中文翻译 品牌: FUJI |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 绝缘栅双极晶体管 |
晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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1MBC05D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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1MBC10D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
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1MBG05D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | |||
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1MBH03D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characterisitcs Fuji IGBT 评级和characterisitcs富士IGBT |
晶体 晶体管 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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1MBH05D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characteristics of Fuji IGBT 评级和富士IGBT的特性 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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1MBH10D-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Ratings and characteristics of Fuji IGBT 评级和富士IGBT的特性 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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1MBH20D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
600V / 20A Molded Package 600V / 20A塑模封装 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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1MBH20D-060-S06TT
中文翻译 品牌: FUJI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | 局域网 栅 晶体管 | |||
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1MBH50D-060
中文翻译 品牌: FUJI |
Fuji Discrete Package IGBT 富士分立IGBT封装 |
晶体 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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1MBH60-090
中文翻译 品牌: ETC |
IGBT mold type IGBT模式 |
晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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1MBH60-100
中文翻译 品牌: FUJI |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 绝缘栅双极晶体管 |
晶体 晶体管 栅 | |||
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1MBH60D-090A
中文翻译 品牌: FUJI |
IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT绝缘栅双极晶体管 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 栅 | ||
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1MBH65-100
中文翻译 品牌: ETC |
IGBT mold type IGBT模式 |
晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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1MBI1000VXB-170EL-54
中文翻译 品牌: FUJI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-12 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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1MBI1200U4C-120
中文翻译 品牌: FUJI |
IGBT MODULE IGBT模块 |
晶体 晶体管 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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1MBI200-120
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V（ BR ） CES | 200A I（C ）\n |
晶体 晶体管 双极性晶体管 栅 | |||
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1MBI200F-120
中文翻译 品牌: FUJI |
IGBT MODULE(F series) IGBT模块（ F系列） |
晶体 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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1MBI200NA-120
中文翻译 品牌: FUJI |
IGBT MODULE ( N series ) IGBT模块（ N系列） |
晶体 晶体管 电动机控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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1MBI200NB-120
中文翻译 品牌: FUJI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | 局域网 栅 晶体管 |