| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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25MT060WF
中文翻译 品牌: INFINEON |
FULL-BRIDGE IGBT MTP 全桥IGBT MTP |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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25MT060WFPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MTP, 16 PIN | 晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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50MT060ULST
中文翻译 品牌: INFINEON |
LOW SIDE CHOPPER IGBT MTP LOW SIDE斩波器IGBT MTP |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 斩波器 局域网 | |||
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50MT060WH
中文翻译 品牌: INFINEON |
HALF-BRIDGE IGBT MTP 半桥IGBT MTP |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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50MT060WHT
中文翻译 品牌: INFINEON |
HALF-BRIDGE IGBT MTP 半桥IGBT MTP |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT100GN120JDQ4
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt IGBT 迅雷IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT100GT120JRDLG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 123A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 | 局域网 电动机控制 栅 瞄准线 晶体管 | ||
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APT110GL100JN
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 | 局域网 栅 瞄准线 晶体管 | ||
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APT13GP120BD1
中文翻译 品牌: ETC |
Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):13Amps|Ultrafast IGBT Family
电压： 1200V VF /的VCE（on ） ： 3.6V ID（续） ： 13安培|超高速IGBT系列\n |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT13GP120BDF1
中文翻译 品牌: ADPOW |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | |||
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APT13GP120BDF1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | ||
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APT13GP120K
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT13GP120KG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | ||
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APT150GN120JDQ4
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Thunderbolt IGBT 迅雷IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT15GP60B
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT15GP60BDL
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Resonant Mode Combi IGBT 谐振模式的Combi IGBT |
晶体 晶体管 电动机控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT15GP60BDLG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Resonant Mode Combi IGBT 谐振模式的Combi IGBT |
晶体 晶体管 电动机控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT15GP60BDQ1G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | ||
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APT15GP60BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT15GP60BSC
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT15GP60K
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT15GP60S
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 | ||
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APT15GP90BDF1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | ||
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APT15GP90BDF1
中文翻译 品牌: ADPOW |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | |||
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APT20GN60K
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
High Speed PT IGBT 高速PT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT20GN60KG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
High Speed PT IGBT 高速PT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GP120B
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS 7 IGBT 功率MOS 7 IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT25GP120BD1
中文翻译 品牌: ETC |
Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):25Amps|Ultrafast IGBT Family
电压： 1200V VF /的VCE（on ） ： 3.6V ID（续） ： 25安培|超高速IGBT系列\n |
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
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APT25GP120BDF1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 69A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | 局域网 栅 瞄准线 功率控制 晶体管 | ||
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APT25GP120BDQ1G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 栅 局域网 |