| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N7002BK
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFETProduction | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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2N7002BKMB
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, single N-channel Trench MOSFET | |||
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2N7002BKS
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFETProduction | 开关 光电二极管 晶体管 | ||
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2N7002BKT
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET | |||
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2N7002BKW
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFETProduction | 开关 光电二极管 晶体管 | ||
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2N7002CK,215
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
元器件封装:SOT-23; | |||
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2N7002F,215
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
元器件封装:TO-236AB; | |||
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2N7002P
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET | ||||
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2N7002P,235
EDA模型
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
漏源电压Vdss(V):60 V ;额定电流Id(A):360mA（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 欧姆 @ 500mA，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):0.8 nC | 栅 栅极 | ||
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2N7002PS,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):320mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:2 N-Channel (Dual);栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;栅源耐压Vgs(V):2.4V @ 250µA;最小工作温度(℃):0;最 | 栅 栅极 | ||
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2N7002PT
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET | ||||
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2N7002PW
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET | ||||
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2N7002PW,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):310mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):260mW (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小 | 栅 栅极 | ||
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2PA1774Q
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
PNP general-purpose transistor | ||||
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2PA1774R
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
PNP general-purpose transistor | ||||
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2PA1774S
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
PNP general-purpose transistor | ||||
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74AHC1G4208GW-Q10H
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
位数(bit):8;最小供电电压(V):2 V;最大供电电压(V):5.5 V;类型:除以 2;功能模块数:1;元器件封装:SOT-353; | |||
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BC807RA
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
45 V, 500 mA PNP/PNP general-purpose double transistorsProduction | ||||
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BSH103
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
30 V, N-channel Trench MOSFET | |||
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BSH105
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
N-channel vertical D-MOS logic level FET | ||||
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BSH108
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
30 V, N-channel Trench MOSFET | ||||
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BSH112
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET | ||||
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BSH114,215
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
元器件封装:TO-236AB; | |||
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BSH121
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
N-channel TrenchMOS extremely low level FET | ||||
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BSH201
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
P-channel vertical D-MOS logic level FET | ||||
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BSH202
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
P-channel vertical D-MOS logic level FET | |||
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BSH203
EDA模型
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
P-channel vertical D-MOS logic level FET | ||||
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BSH205
EDA模型
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
P-channel vertical D-MOS logic level FET | ||||
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BSH205G2
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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BSH205G2VL
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
元器件封装:SOT23; |