| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1ED3140MU12F
6.5
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER? Compact单通道隔离型栅极驱动器：适用于 IGBT、 MOSFET和SiC MOSFET，6A灌电流和拉电流峰值输出，DSO-8 窄体封装。 1ED3140MU12F是EiceDRIVER? Compact 1ED31x | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
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1ED3141MU12F 6.5
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER? Compact单通道隔离型栅极驱动器：适用于 IGBT、 MOSFET和SiC MOSFET，6A灌和拉峰值输出电流，DSO-8 窄体封装。 1ED3141MU12F是EiceDRIVER? Compact 1ED31xx产? | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
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1ED3142MU12F
6.5
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER? Compact单通道隔离型栅极驱动器：适用于 IGBT、 MOSFET和SiC MOSFET，6A | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
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1ED44175N01B
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 25 V单通道、低边、非反相栅极驱动器,适用于IGBT，拥有典型的2.6 A源漏电流，采用极小的6引脚PG-SOT23封装。 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
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1ED44176N01F
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVERTM 25V 单通道低边非反向栅极驱动器，适用于 MOSFET 和 IGBT，采用小型 8 引脚 PG-DSO8 封装，典型拉电流为0.8 A，灌电流为1.75 A。 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
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1EDC05I12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
1200 V单边高侧栅极驱动器IC，具有UL认证的电流隔离、短路箝位和独立的汇/源输出 | 栅极驱动 双极性晶体管 光电二极管 接口集成电路 驱动器 | ||
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1SD312F2-CM400HB-90H
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):15.5V;最大供电电压(V):16.8V;峰值输出灌电流(A):12A;峰值输出拉电流(A):12A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD312F2-CM600HB-90H
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):15.5V;最大供电电压(V):16.8V;峰值输出灌电流(A):12A;峰值输出拉电流(A):12A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD312F2-CM900HC-90H
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):15.5V;最大供电电压(V):16.8V;峰值输出灌电流(A):12A;峰值输出拉电流(A):12A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD312F2-DIM600NSM45-F000
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):15.5V;最大供电电压(V):16.8V;峰值输出灌电流(A):12A;峰值输出拉电流(A):12A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD312F2-MBN900D45A
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):15.5V;最大供电电压(V):16.8V;峰值输出灌电流(A):12A;峰值输出拉电流(A):12A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-5SNA1200E250100
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-5SNA1200E330100
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-5SNA1500E330300
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-CM1200HB-66H
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-CM1200HC-50H
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-CM1200HC-66H
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-CM800E2C-66H
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-CM800HB-66H
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FX800R33KF1
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FX800R33KF2
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KF1
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KF2
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1200R33KL2C
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ1500R25KF1
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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1SD418F2-FZ2400R17KF6
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):18A;峰值输出拉电流(A):18A;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块 | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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2ED28073J06F
中文翻译 品牌: INFINEON |
600 V半桥栅极驱动IC集成自举二极管，具有典型的0.02 A拉电流和0.08 A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动包括快速体二极管CoolMOS PFD7超结MOSFET和IGBT在内的MOSFET。 | 栅极驱动 双极性晶体管 二极管 | |||
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2EDF9275FXUMA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
驱动配置:全桥;通道类型:同步;驱动器数:2;栅极类型:IGBT，SiC MOSFET;元器件封装:PG-DSO-16; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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2EDS9265HXUMA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
峰值输出灌电流(A):4A;峰值输出拉电流(A):8A;驱动配置:全桥;通道类型:同步;驱动器数:2;栅极类型:IGBT，SiC MOSFET;元器件封装:PG-DSO-16; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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2SB315A-2MBI800U4G-120
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):0V;最大供电电压(V):16V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:2;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 |