| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SK2735S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
4V gate drive device can be driven from 5V source High speed switching 4V栅极驱动器可从5V电源高速开关驱动 |
晶体 驱动器 栅极 开关 晶体管 脉冲 栅极驱动 | |||
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2SK2925S
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low on-resistance RDS =0.060 typ. 4V gate drive device can be driven from 5V source 低导通电阻RDS = 0.060 （典型值） 。 4V栅极驱动器可从5V电源来驱动 |
晶体 驱动器 栅极 晶体管 开关 脉冲 栅极驱动 | |||
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2SK3111
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Gate voltage rating -30 V Avalanche capability rated Surface mount device available 栅极电压等级-30 V雪崩能力，额定表面贴装器件提供 |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3112
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Gate voltage rating -30 V Low on-state resistance RDS(on) = 110m MAX. 栅极电压等级-30 V低通态电阻RDS （ ON） = 110米MAX 。 |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3116
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low gate charge QG = 26 nC TYP. (ID = 7.5 A, VDD = 450 V, VGS = 10 V) 低栅极电荷Qg = 26 NC TYP 。 （ID = 7.5 A， VDD = 450 V， VGS = 10V） |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3299
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low gate charge QG = 34 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 10 A) 低栅极电荷Qg = 34 NC TYP 。 （ VDD = 450 V， VGS = 10V ， ID = 10A） |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3305
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low gate charge QG = 13 nC TYP. (VDD = 400V, VGS = 10 V, ID = 5.0A) 低栅极电荷Qg = 13 NC TYP 。 （ VDD = 400V ， VGS = 10V ， ID = 5.0A ） |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3456
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low gate charge QG = 30 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 12 A) 低栅极电荷Qg = 30 NC TYP 。 （ VDD = 400 V ， VGS = 10V ， ID = 12 A） |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3458
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Low gate charge QG = 25 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 6.0 A) 低栅极电荷Qg = 25 NC TYP 。 （ VDD = 450 V， VGS = 10V ， ID = 6.0 A） |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3479
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 11 m MAX. Built-in gate protection diode 超低通态电阻： RDS （ ON） 1 = 11 m最大。内置栅极保护二极管 |
晶体 栅极 二极管 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3480
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 31 m MAX. Built-in gate protection diode 超低通态电阻： RDS （ ON） 1 = 31 m最大。内置栅极保护二极管 |
晶体 栅极 二极管 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3481
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 m MAX. Built-in gate protection diode 超低通态电阻： RDS （ ON） 1 = 50 m最大。内置栅极保护二极管 |
晶体 栅极 二极管 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3510
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Super low on-state resistance: RDS(on) = 8.5 m MAX Built-in gate protection diode 超低通态电阻： RDS （ ON） = 8.5 m最大内置栅极保护二极管 |
晶体 栅极 二极管 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3511
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Super low on-state resistance: RDS(on) = 12.5 m MAX Built-in gate protection diode 超低通态电阻： RDS （ ON）为12.5 m最大内置栅极保护二极管 |
晶体 栅极 二极管 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3570
中文翻译 品牌: TYSEMI |
4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 12 m MAX Low gate charge 4.5V驱动器可用。低通态电阻RDS （ ON） 1 = 12 m以下低栅极电荷 |
晶体 驱动器 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3571
中文翻译 品牌: TYSEMI |
4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 9m MAX. Low gate charge 4.5V驱动器可用。低通态电阻RDS （ ON） 1 = 9米MAX 。低栅极电荷 |
晶体 驱动器 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3572
中文翻译 品牌: TYSEMI |
4.5V drive available. Low on-state resistance,RDS(on)1 = 5.7m MAX Low gate charge 4.5V驱动器可用。低通态电阻RDS （ ON） 1 = 5.7米MAX低栅极电荷 |
晶体 驱动器 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3573
中文翻译 品牌: TYSEMI |
4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 4.0m MAX. Low gate charge 4.5V驱动器可用。低通态电阻RDS （ ON） 1 = 4.0米MAX 。低栅极电荷 |
晶体 驱动器 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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2SK3575
中文翻译 品牌: TYSEMI |
4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 4.5m MAX Low gate charge 4.5V驱动器可用。低通态电阻RDS （ ON） 1 = 4.5米MAX低栅极电荷 |
晶体 驱动器 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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6ED2742S01Q
中文翻译 品牌: INFINEON |
MOTIX™ 6ED2742S01Q是一款160V 绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器，专为三相BLDC电机驱动应用而设计。这款驱动器集成自举二极管，可为三个外高压侧自举电容充电，具有涓流充电电路，支持100%占空比。主要保护功能包括，欠压锁定、可配置阈值的过流保护、故障通信和自动故障清除。其输出驱 | 通信 电机 栅极驱动 高压 脉冲 二极管 驱动器 | |||
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760301105
中文翻译 品牌: WURTH |
WE-GDT Gate-Drive-Transformer WE- GDT栅极驱动变压器 |
变压器 栅极 栅极驱动 | ||
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760301106
中文翻译 品牌: WURTH |
WE-GDT Gate-Drive-Transformer WE- GDT栅极驱动变压器 |
变压器 栅极 栅极驱动 | ||
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760301107
中文翻译 品牌: WURTH |
WE-GDT Gate-Drive-Transformer WE- GDT栅极驱动变压器 |
变压器 栅极 栅极驱动 | ||
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AP22T03GH-HF
中文翻译 品牌: A-POWER |
Lower Gate Charge Simple Drive Requirement 更低的栅极电荷简单驱动要求 |
晶体 栅极 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 驱动 | ||
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AP2302AGN-HF
中文翻译 品牌: A-POWER |
Capable of 2.5V gate drive, Lower Gate Charge 能够2.5V栅极驱动，低栅极电荷 |
晶体 栅极 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 光电二极管 栅极驱动 | |||
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AP2306CGN-HF
中文翻译 品牌: A-POWER |
Capable of 2.5V gate drive, Lower on-resistance 能够2.5V栅极驱动，低导通电阻 |
晶体 栅极 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 光电二极管 栅极驱动 | |||
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AP2310GG-HF
中文翻译 品牌: A-POWER |
Lower Gate Charge, Fast Switching Characteristic 更低的栅极电荷快速开关特性 |
晶体 栅极 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 | |||
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AP2328GN-HF
中文翻译 品牌: A-POWER |
Capable of 2.5V Gate Drive, Small Outline Package 能够2.5V栅极驱动的，小外形封装 |
晶体 栅极 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 栅极驱动 | |||
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AP2334GN-HF
中文翻译 品牌: A-POWER |
Fast Switching Characteristic, Lower Gate Charge 快速开关特性，更低的栅极电荷 |
晶体 栅极 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 光电二极管 | |||
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AP2338GN-HF
中文翻译 品牌: A-POWER |
Capable of 1.8V Gate Drive, Small Outline Package 能够1.8V栅极驱动的，小外形封装 |
晶体 栅极 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 光电二极管 栅极驱动 |