| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SC0635T2A1-45
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;峰值输出灌电流(A):35A;峰值输出拉电流(A):35A;驱动配置:高压侧或低压侧;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:IGBT;上升时间(ns):20ns;下降时间(ns):25ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 高压 驱动器 栅极 | |||
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5962-9861701QCA
中文翻译 品牌: TI |
HEX INVERTER BUFFERS/DRIVERS WITH OPEN-COLLECTOR HIGH-VOLTAGE OUTPUTS 六反相缓冲器/带集电极开路高压输出驱动程序 |
栅极 逻辑集成电路 输出元件 高压 驱动 | ||
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6ED2742S01Q
中文翻译 品牌: INFINEON |
MOTIX™ 6ED2742S01Q是一款160V 绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器，专为三相BLDC电机驱动应用而设计。这款驱动器集成自举二极管，可为三个外高压侧自举电容充电，具有涓流充电电路，支持100%占空比。主要保护功能包括，欠压锁定、可配置阈值的过流保护、故障通信和自动故障清除。其输出驱 | 通信 电机 栅极驱动 高压 脉冲 二极管 驱动器 | |||
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ADUM4121-1
中文翻译 品牌: ADI |
集成内部米勒箝位的高压、隔离式栅极驱动器，2 A输出 | 栅极驱动 高压 驱动器 | |||
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ADUM4146
中文翻译 品牌: ADI |
提供故障检测、米勒钳位的11 A高压隔离双极性栅极驱动器 | 栅极驱动 高压 驱动器 | |||
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AN-6076
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Bootstrap Circuit for High-Voltage Gate-Drive IC 自举电路的高压栅极驱动IC |
栅极 高压 栅极驱动 | |||
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BL8202
中文翻译 品牌: BELLING |
BL8202是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达250V 电压下工作。 BL8202内置VCC和VBS欠压（UVLO）保护功能， | 栅极驱动 双极性晶体管 高压 | |||
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BL8203
中文翻译 品牌: BELLING |
BL8203是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达250V 电压下工作。 BL8203内置VCC和VBS欠压（UVLO）保护功能， | 栅极驱动 双极性晶体管 高压 | |||
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BL8601
中文翻译 品牌: BELLING |
BL8601是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达600V 电压下工作。 BL8601内置VCC和VBS欠压（UVLO）保护功能 | 栅极驱动 双极性晶体管 高压 | |||
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BP3288
中文翻译 品牌: BPS |
BP3288是一款高效率高PF值支持可控硅调光的 LED驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式，适用于Buck-Boost结构的LED 驱动电源。 BP3288 芯片采用栅极驱动和高压供电方式， | 栅极驱动 高压 可控硅 | |||
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BSS126H6906XTSA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):600 V ;额定电流Id(A):21mA（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):500 欧姆 @ 16mA，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):2.1 nC @ | 栅 栅极 | ||
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CPC3701
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3703
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3708
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3710
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3714
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3720
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3730
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3902
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3909
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3960
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3980
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3981
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
耗尽型MOSFET器件 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺，在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC3982
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC5602
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CPC5603
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经济的硅栅极工艺中实现了世界级的高压MOSFET性能。 垂直DMOS工艺为具有高输入阻抗的高功率应用提供了一 | 栅 高压 晶体管 场效应晶体管 栅极 | |||
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CS20-22MOF1
中文翻译 品牌: IXYS |
High Voltage Phase Control Thyristorin High Voltage ISOPLUS i4-PAC-TM 高电压相位控制Thyristorin高压ISOPLUS I4 -PAC -TM |
栅极 触发装置 可控硅整流器 高压 | ||
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DM7426N
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Quad 2-Input NAND Gates with High Voltage Open-Collector Outputs 四2输入与非门与高压集电极开路输出 |
栅极 触发器 逻辑集成电路 光电二极管 高压 | ||
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DM74LS26M
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Quad 2-Input NAND Gate with High Voltage Open-Collector Outputs 四2输入与非门与高压集电极开路输出 |
触发器 逻辑集成电路 光电二极管 高压 栅 | ||
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DM74LS26N
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Quad 2-Input NAND Gate with High Voltage Open-Collector Outputs 四2输入与非门与高压集电极开路输出 |
栅极 触发器 逻辑集成电路 光电二极管 高压 |