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VSE003P02KS

 Package : PDFN3333;Type : PMOS;BVDSS[V] : -20.00;BVGS[V] : 12.00;
VGSEMI

VSF450N70HS3

 Package : TO-220SF;Type : NMOS;BVDSS[V] : 700.00;BVGS[V] : 30.00;
VGSEMI

VS3645DE-G

 Package : PDFN3333 Dual;Type : Dual-N;BVDSS[V] : 30.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

YELSD323604AG

 Package : SOD-323; Configuration : Bi-Dir; Typical Capacitance at 1MHz (pF) : 1; VRWM, Reverse Stand off Voltage (V) : 36; VBR@IT, Min. Breakage Voltage (V) : 40; IR, Max. Reverse Leakage Current (uA) : 1; Peak Pulse Power at 8/20us (W) : 240; Peak Pulse Current at 8/20us (A) : 4; AEC-Q101 : No;
THINKING

SMC5341B

 VZ@IZT (Min) V : 5.89; VZ@IZT (Nom) V : 6.2; VZ@IZT (Max) V : 6.51; ZZT@IZT mA : 200; ZZT@IZT Ω : 1; ZZK@IZK (Max) Ω : 200; ZZK@IZK mA : 1; IR@VR (Max) μA : 1; IR@VR V : 3; Package : SMC/DO-214AB; AEC-Q Qualified : NO;
YEASHIN

YS3401

 Configuration : Single; MOSFET Type : P; ESD : No; VDS V : -30; VGS V : ±12; Vth (Min) V : -0.6; V
YEASHIN

VSO011N06MS

 Package : SOP8;Type : NMOS;BVDSS[V] : 60.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

Si9945CDY

 Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
VISHAY

SN74AC2G100-Q1

 具有触发器和施密特触发输入的汽车级双通道 1.5V 至 6V 可配置栅极
TI

VS4698AD

 Package : TO-252;Type : NMOS;BVDSS[V] : 40.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

VSP009C03MD

 Package : PDFN5x6 Dual;Type : PMOS;BVDSS[V] : -30.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

VS4802GKM

 Package : TOLL;Type : NMOS;BVDSS[V] : 40.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

VS1505AP

 Package : PDFN5060X;Type : PMOS;BVDSS[V] : -100.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

WMG100H12T2S

 Housing:: WeEnPack 62mm; Configuration:: Half Bridge; Description:: high efficiency and ease to use; Voltage class(V):: 1200; Icmax(A):: 100; Isolation Material:: Al2O3; Features:: solder pin; Other features:: solder pin; Tj(max)(℃):: 175; Qualification:: Industrial;
WEEN

VS6N70AD

 Package : TO-252;Type : NMOS;BVDSS[V] : 700.00;BVGS[V] : 30.00;
VGSEMI
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