MWE15-01
AC-DC Regulated Power Supply Module, 3 Output, 17.5W, 110 X 25.40 MM, 60 MM HEIGHT, ULTRA THIN, PACKAGE
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TOKO
LSU404-PDIP-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC, DIP-8
放大器 光电二极管 晶体管
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LINER
K4H560438E-NCAA
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54
时钟 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
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SAMSUNG
ATA2525P1.38-6AQY
Telecom Circuit, 1-Func, PDSO8, LEAD FREE, TSSOP-8
ATM 异步传输模式 电信 光电二极管 电信集成电路
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ATMEL
K4H560438E-NCB0
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54
时钟 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
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SAMSUNG
LSU404-SOIC-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SOIC-8
放大器 光电二极管 晶体管
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LINER
K4H560438E-NCB3
DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54
时钟 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
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SAMSUNG
K4H560438E-NLA2
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54
时钟 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
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SAMSUNG
K4H560438E-NLB0
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54
时钟 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
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SAMSUNG
K4H560438E-NLB3
DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54
时钟 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
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SAMSUNG
1300940465
Heavy Duty Support Grip, Double Eye, Double Weave, Split Lace, Cable Diameter
暂无信息
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MOLEX11
K4H560838E-NCA2
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54
时钟 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路
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SAMSUNG
1300940468
Heavy Duty Support Grip, Double Eye, Double Weave, Split Lace, Cable Diameter
暂无信息
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MOLEX11
