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MMBTA43LT1  
APTM10HM09FT3G 全 - 桥式MOSFET功率模块 (Full - Bridge MOSFET Power Module)
.型号:   APTM10HM09FT3G
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描述: 全 - 桥式MOSFET功率模块
Full - Bridge MOSFET Power Module
文件大小 :   320 K    
页数 : 6 页
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品牌   ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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100%
APTM10HM09FT3G
全 - 桥
MOSFET功率模块
13 14
Q1
Q3
V
DSS
= 100V
R
DSON
= 9mΩ典型值@ TJ = 25°C
I
D
= 139A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
特点
功率MOS V
®
FREDFETs
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器,方便
极低的杂散电感
-
对称设计
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器(独立包装)
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
每条腿可以很容易地并联以实现阶段
电流能力的两倍的腿
符合RoHS
18
22
19
Q2
23
8
Q4
7
11
10
26
4
3
29
15
30
31
R1
32
16
27
28 27 26 25
29
30
23 22
20 19 18
16
15
31
32
2
3
4
7
8
10 11 12
14
13
所有的多路输入和输出必须短接在一起
例如: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 ...
绝对最大额定值
符号
V
DSS
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1–6
APTM10HM09FT 3G- 1修订版
最大额定值
单位
100
V
T
c
= 25°C
139
I
D
连续漏电流
A
T
c
= 80°C
100 *
I
DM
漏电流脉冲
430
V
GS
栅 - 源电压
±30
V
R
DSON
漏 - 源极导通电阻
9.5
mΩ
P
D
最大功率耗散
T
c
= 25°C
390
W
I
AR
雪崩电流(重复,不重复)
100
A
E
AR
重复性雪崩能量
50
mJ
E
AS
单脉冲雪崩能量
3000
* MOSFET器件,但输出电流的规范必须限制在75A至不超过温度的增量
大于30℃的连接器。
参数
漏极 - 源极击穿电压
2006年4月,
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